Tavă de grafit acoperită cu SiC

Ca componentă principală a echipamentului epitaxial,Tavă de grafit acoperită cu SiC, afectează direct eficiența producției, uniformitatea și rata defectelor de creștere a stratului epitaxial.    

Prin purificarea grafitului, prelucrarea de precizie și tratamentul de curățare, suprafața substratului de grafit poate obține planeitate și netezime excelente, evitând cu succes riscul de contaminare cu particule. Prin depunerea chimică în vapori, suprafața substratului de grafit suferă o reacție chimică cu gazul reactiv, generând un strat dens, fără pori și uniform gros de carbură de siliciu (SiC). De la pregătirea substratului până la tratarea acoperirii, întregul proces de producție se desfășoară într-o cameră curată Clasa 100, care îndeplinește standardele de curățenie potrivite pentru semiconductori.

Tava de grafit acoperită cu SiC, care este făcută din grafit de înaltă puritate și materiale SiC, are o conductivitate termică excelentă și un coeficient scăzut de dilatare termică. Nu numai că permite tăvii de grafit acoperite cu SiC să transfere căldura rapid și uniform pentru a îmbunătăți calitatea creșterii stratului epitaxial, dar și reduce eficient riscul de scurgere sau fisurare a stratului din cauza stresului termic. În plus, acoperirea uniformă și densă SiC este rezistentă la temperaturi ridicate, oxidare și coroziune, asigurând o funcționare stabilă pentru o lungă perioadă de timp în condiții de temperatură ridicată și gaze corozive.

Tava de grafit acoperită cu SiC are o compatibilitate mai mare cu echipamentele de depunere în vapori chimică metalo-organică (MOCVD). A fost dimensionat meticulos și proiectat pentru a se adapta la diferiți parametri de proces și cerințe de echipament. Semicorex insistă întotdeauna să ofere clienților noștri valoroși servicii profesionale personalizate pentru a satisface cu precizie cerințele acestora pentru diferite dimensiuni, grosimi de acoperire și rugozitatea suprafeței tăvii de grafit acoperite cu SiC.