Suport pentru napolitană

Suportul pentru napolitană Semicorex este proiectat ingenios, cu un miez din grafit de înaltă puritate și acoperit meticulos cu carbură de siliciu (SiC) pentru a îndeplini cerințele exigente ale echipamentelor de epitaxie în fază lichidă (LPE). Construcția sa și selecția materialului sunt absolut cruciale pentru menținerea integrității plachetelor în timpul proceselor la temperatură ridicată inerente fabricării semiconductoarelor.

Suportul pentru napolitană de grafit acoperit cu SiC demonstrează o rezistență remarcabilă la uzură, o caracteristică vitală pentru menținerea dimensiunilor precise și a calității suprafeței necesare pentru manipularea optimă a plachetelor. În procesele LPE, integritatea suprafeței suportului pentru napolitană este primordială, deoarece orice degradare sau denivelare ar putea duce la defecte ale plăcilor, ceea ce duce la randamente mai mici și la creșterea deșeurilor. Acoperirea SiC asigură că suportul pentru napolitană menține o suprafață netedă și stabilă pe parcursul ciclurilor repetate, contribuind la fiabilitatea și consistența generală a procesului de epitaxie.

În plus, acoperirea SiC îmbunătățește performanța termică a suportului pentru napolitane. Conductivitatea termică ridicată a carburei de siliciu asigură o distribuție uniformă a căldurii pe plachetă în timpul procesului de epitaxie, crucială pentru prevenirea gradienților termici care ar putea cauza deformarea sau crăparea plăcilor. Acest lucru garantează că produsele finale îndeplinesc standardele stricte de calitate cerute în fabricarea semiconductorilor. Combinația dintre proprietățile termice inerente ale grafitului cu beneficiile suplimentare ale acoperirii SiC creează un suport pentru napolitană capabil să reziste celor mai dificile medii termice.

Designul suportului pentru napolitană este optimizat pentru aplicarea sa în echipamentele LPE. Suportul pentru napolitană este prelucrat cu precizie pentru a găzdui napolitanele în siguranță, minimizând riscul de mișcare sau nealiniere în timpul procesului de epitaxie. Această precizie este crucială, deoarece chiar și cea mai mică schimbare a poziției plachetei poate duce la depunere neuniformă, afectând performanța dispozitivelor semiconductoare fabricate. Suportul pentru plachete din grafit acoperit cu SiC oferă stabilitatea necesară, asigurând că plachetele rămân în poziția corectă pe tot parcursul procesului.

                                                        Structura LEP, din LPE