Acceptor de napolitană

Semicorex Wafer Susceptor este realizat cu experiență din grafit și acoperit cu carbură de siliciu (SiC) pentru a îndeplini condițiile exigente ale producției moderne de semiconductori.

În procesele de epitaxie, menținerea unui mediu stabil și controlat este absolut esențială. Wafer Susceptor servește ca platformă de bază pe care sunt plasate plachetele în timpul depunerii, îndeplinind cerințe precise pentru uniformitatea temperaturii, inerția chimică și rezistența mecanică pentru a obține straturi epitaxiale de înaltă calitate.

Alegerea grafitului ca material de bază pentru Wafer Susceptor este determinată de conductivitatea termică excelentă și de proprietățile mecanice. Capacitatea grafitului de a rezista la temperaturi ridicate, menținând în același timp integritatea structurală, este crucială în mediile cu temperaturi ridicate ale reactoarelor de epitaxie. În plus, conductivitatea termică a grafitului asigură o distribuție eficientă a căldurii pe placă, reducând riscul gradienților de temperatură care ar putea duce la defecte în stratul epitaxial.

Pentru a îmbunătăți performanța Wafer Susceptor, un strat de carbură de siliciu (SiC) este aplicat cu experiență pe baza de grafit. SiC este un material foarte durabil, cu rezistență chimică superioară, ceea ce îl face ideal pentru utilizarea în medii semiconductoare în care gazele reactive sunt adesea prezente. Acoperirea SiC oferă o barieră de protecție care protejează grafitul de potențialele reacții chimice, asigurând longevitatea susceptorului plachetei și menținând un mediu curat în interiorul reactorului.

Semicorex Wafer Susceptor realizat din grafit acoperit cu SiC este o componentă indispensabilă în procesele de epitaxie semiconductoare. Combinația sa dintre proprietățile termice și mecanice ale grafitului cu stabilitatea chimică și termică a carburii de siliciu îl face ideal pentru cerințele riguroase ale producției moderne de semiconductori. Designul cu o singură placă oferă un control precis asupra procesului de epitaxie, contribuind la producerea de dispozitive semiconductoare de înaltă calitate. Acest susceptor asigură că plachetele sunt manipulate cu cea mai mare grijă și precizie, rezultând straturi epitaxiale superioare și produse semiconductoare mai performante.