Butoi SiC pentru Epitaxie de Siliciu

Semicorex SiC Barrel For Silicon Epitaxy este construit folosind material de grafit acoperit cu carbură de siliciu (SiC). Această construcție unică asigură o rezistență excelentă la șocuri termice și degradare chimică, prelungind durata de viață a susceptorului și menținând fiabilitatea procesului.

Acoperirea avansată de SiC pe SiC Barrel For Silicon Epitaxy oferă o conductivitate termică superioară și o distribuție a căldurii, promovând profile uniforme de temperatură în susceptor. Acest lucru îmbunătățește controlul procesului, minimizează gradienții termici și asigură creșterea constantă a stratului epitaxial, rezultând filme de siliciu de înaltă calitate, cu uniformitate și puritate excepționale.

Butoiul nostru SiC pentru epitaxie cu silicon poate fi personalizat pentru a satisface cerințele și preferințele specifice. De la ajustări de dimensiune la variații ale grosimii stratului de acoperire, oferim flexibilitate în proiectare pentru a se adapta la diferiți parametri de proces și pentru a optimiza performanța pentru aplicații specifice.

SiC Barrel For Silicon Epitaxy oferă fiabilitate și longevitate, reducând timpul de nefuncționare și costurile de întreținere asociate cu înlocuirile frecvente. Construcția sa robustă și performanța excepțională contribuie la îmbunătățirea eficienței procesului, sporind în cele din urmă productivitatea și rentabilitatea operațiunilor de fabricare a semiconductorilor.