Capac cameră din carbură de siliciu

Capacul camerei din carbură de siliciu utilizat în procesarea creșterii cristalelor și a manipulării napolitanelor trebuie să reziste la temperaturi ridicate și curățări chimice dure. Semicorex este un producător și furnizor pe scară largă de susceptor de grafit acoperit cu carbură de siliciu în China. Produsele noastre au un avantaj de preț bun și acoperă multe dintre piețele europene și americane. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul tău pe termen lung.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Capacul camerei cu carbură de siliciu utilizat în creșterea monocristalului sau MOCVD sau procesarea de manipulare a plachetelor trebuie să reziste la temperaturi ridicate și curățări chimice dure. Semicorex furnizează o construcție cu grafit acoperit cu carbură de siliciu (SiC) de înaltă puritate, care oferă rezistență la căldură superioară, uniformitate termică chiar pentru grosime și rezistență consistentă a stratului epi și rezistență chimică durabilă. Sunt durabile pentru a experimenta o combinație de gaze precursoare volatile, plasmă și temperatură ridicată.
Capacul camerei noastre din carbură de siliciu este proiectat pentru a obține cel mai bun model de flux laminar de gaz, asigurând uniformitatea profilului termic. Acest lucru ajută la prevenirea oricărei contaminări sau difuzarea impurităților, asigurând creșterea epitaxială de înaltă calitate pe cipul de napolitană.
Contactați-ne astăzi pentru a afla mai multe despre capacul camerei din carbură de siliciu.

Parametrii capacului camerei din carbură de siliciu

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC
Proprietăți SiC-CVD
Structura de cristal	faza FCC β
Densitate	g/cm³	3.21
Duritate	Duritatea Vickers	2500
Dimensiunea boabelor	μm	2~10
Puritatea chimică	%	99.99995
Capacitatea termică	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimare	℃	2700
Forța felexurală	MPa (RT în 4 puncte)	415
Modulul tinerilor	Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃)	430
Expansiune termică (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivitate termică	(W/mK)	300