Purtător de acoperire RTP SiC

Semicorex RTP SiC Coating Carrier oferă rezistență superioară la căldură și uniformitate termică, făcându-l soluția perfectă pentru aplicațiile de procesare a plachetelor semiconductoare. Cu grafitul său acoperit cu SiC de înaltă calitate, acest produs este conceput pentru a rezista celui mai dur mediu de depunere pentru creșterea epitaxială. Conductivitatea termică ridicată și proprietățile excelente de distribuție a căldurii asigură performanțe fiabile pentru curățarea RTA, RTP sau cu substanțe chimice dure.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Suportul nostru de acoperire RTP SiC este proiectat pentru a rezista la cele mai dure condiții ale mediului de depunere. Cu rezistența sa ridicată la căldură și coroziune, susceptorii epitaxiei sunt supuși unui mediu de depunere perfect pentru creșterea epitaxială. Învelișul fin de cristal SiC de pe suport asigură o suprafață netedă și durabilitate ridicată împotriva curățării chimice, în timp ce materialul este proiectat pentru a preveni fisurile și delaminarea.
La Semicorex, ne concentrăm pe furnizarea de suport de acoperire RTP SiC de înaltă calitate și rentabil, acordăm prioritate satisfacției clienților și oferim soluții rentabile. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung, oferind produse de înaltă calitate și servicii excepționale pentru clienți.
Contactați-ne astăzi pentru a afla mai multe despre suportul nostru de acoperire RTP SiC.

Parametrii suportului de acoperire RTP SiC

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC
Proprietăți SiC-CVD
Structură cristalină	faza FCC ²
Densitate	g/cm³	3.21
Duritate	Duritatea Vickers	2500
Marimea unui bob	Î¼m	2~10
Puritatea chimică	%	99.99995
Capacitatea termică	J·kg-1·K-1	640
Temperatura de sublimare	℃	2700
Forța felexurală	MPa (RT 4 puncte)	415
Modulul Young	Gpa (îndoire 4 pt, 1300â)	430
Expansiune termică (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivitate termică	(W/mK)	300

Caracteristicile suportului de acoperire RTP SiC

Grafit acoperit cu SiC de înaltă puritate
Rezistență superioară la căldură și uniformitate termică
Acoperit cu cristal fin de SiC pentru o suprafață netedă
Durabilitate ridicată împotriva curățării chimice
Materialul este proiectat astfel încât să nu apară fisuri și delaminare.