Purtător de acoperire RTP/RTA SiC

Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier este proiectat pentru a rezista la cele mai dure condiții ale mediului de depunere. Cu rezistența sa ridicată la căldură și coroziune, acest produs este conceput pentru a oferi performanțe optime pentru creșterea epitaxială. Suportul acoperit cu SiC are o conductivitate termică ridicată și proprietăți excelente de distribuție a căldurii, asigurând performanțe fiabile pentru curățarea RTA, RTP sau cu substanțe chimice dure.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Purtătorul nostru de acoperire RTP/RTA SiC pentru creșterea epitaxială MOCVD este soluția perfectă pentru manipularea plachetelor și procesarea creșterii epitaxiale. Cu o suprafață netedă și o durabilitate ridicată împotriva curățării chimice, acest produs oferă performanțe fiabile în medii dure de depunere.
Materialul suportului nostru de acoperire RTP/RTA SiC este proiectat pentru a preveni fisurile și delaminarea, în timp ce rezistența superioară la căldură și uniformitatea termică asigură o performanță constantă pentru curățarea RTA, RTP sau cu substanțe chimice dure.
Contactați-ne astăzi pentru a afla mai multe despre suportul nostru de acoperire RTP/RTA SiC

Parametrii suportului de acoperire RTP/RTA SiC

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC
Proprietăți SiC-CVD
Structura de cristal	faza FCC β
Density	g/cm³	3.21
Duritate	Duritatea Vickers	2500
Dimensiunea boabelor	μm	2~10
Puritatea chimică	%	99.99995
Capacitatea termică	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimare	℃	2700
Forța felexurală	MPa (RT în 4 puncte)	415
Modulul tinerilor	Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃)	430
Expansiune termică (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivitate termică	(W/mK)	300

Caracteristicile suportului de acoperire RTP/RTA SiC

Grafit acoperit cu SiC de înaltă puritate
Rezistență superioară la căldură și uniformitate termică
Acoperit cu cristal fin de SiC pentru o suprafață netedă
Durabilitate ridicată împotriva curățării chimice
Materialul este proiectat astfel încât să nu apară fisuri și delaminare.