Superioară jumătate de lună

Semicorex Upper Half Moon este un purtător de napolitane semicirculare conceput meticulos pentru echipamente de procesare epitaxială. Ca o componentă susceptitoare critică în procesul de creștere epitaxială, această parte este concepută pentru a sprijini și stabiliza napolitane de siliciu în timpul depunerii de vapori chimici la temperaturi ridicate (CVD). Fabricat din grafit de înaltă puritate și protejat cu o acoperire uniformă de carbură de siliciu (SIC), jumătatea superioară a lunii combină robustețea mecanică, conductivitatea termică excelentă și rezistența excepțională de coroziune pentru a răspunde cerințelor epitaxiei de înaltă precizie.

Acest produs își derivă numele din geometria sa distinctă de jumătate de lună, care este construită special pentru platforme de rotație specifice în reactoare epitaxiale cu un singur wafer sau multi-wafer. Forma sa unică nu numai că facilitează fluxul uniform de gaz și distribuția termică, dar permite, de asemenea, o integrare ușoară în ansamblurile de încălzire și rotație existente. Proiectarea semicirculară asigură o poziționare optimă a plafonului, minimizează stresul termic și joacă un rol cheie în realizarea unei grosimi uniforme ale filmului epitaxial pe întreaga suprafață a plafonului.

Produsul superior al jumătății lunii include un substrat de grafit ultra-fine datorită beneficiilor de performanță combinate ale unei structuri ultra-fine stabile la temperaturi extrem de ridicate, cuplate cu rezistența la eșec peste rulările repetate. Pentru a extinde utilizarea, a fost aplicată o acoperire SIC de densitate de înaltă puritate prin tehnologia de depunere a vaporilor chimici, izolând substratul de grafit de HCl, Cl₂, Silane și alte gaze de proces corozive. Indiferent, acoperirea SIC promovează o viață mai durabilă și mai extinsă atât pentru produsul Half Half Half Moon, cât și pentru părțile în totalitatea sa, în timp ce scade chiar și contaminarea mediului wafer, beneficiind în cele din urmă randamentul procesului și calitatea filmului.

Finisajul de suprafață al stratului SIC a fost specificat și este plat sau neted pentru a promova transferul de căldură constant într -un substrat și formarea constantă a filmului. Mai mult decât atât, acoperirea SIC îmbunătățește rezistența componentelor la generarea de particule, ceea ce este un factor cheie al aplicațiilor semiconductoare sensibile la defecte. Parametrii de performanță, inclusiv o depășire foarte mică și o deformare foarte mică peste 1200 ° C oferă componente eficiente pentru cicluri de funcționare foarte lungi, scăzând timpul de oprire a sistemului și costurile de întreținere.

Semicorex Superior Half Moon nu este deloc în ceea ce privește toleranțele, uniformitatea de acoperire și selecția materialelor. Menținem un control strict al calității la fiecare etapă, de la prelucrarea grafitului, la depunerea acoperirilor SIC și inspecția finală, asigurându -se că fiecare unitate respectă standardele riguroase necesare echipamentelor de grad semiconductor. Mai mult, experiența noastră în personalizarea geometriilor, a grosimilor și a tratamentelor de suprafață este recunoscută ca fiind aplicată la aproape toate formele de platforme de epitaxie.

Jumătatea superioară a lunii este importantă pentru stabilitatea plafonului, uniformitatea termică și controlul contaminării pentru epitaxia semiconductorului de siliciu sau compus. În consecință, Semicorex folosește expertiză inegalabilă, tehnologie materială și consecvență de fabricație pentru a obține așteptări ale clienților pentru componente susceptitoare de înaltă performanță.