Placa receptorului

Semicorex Susceptor Plate este o componentă crucială în procesul de creștere epitaxială, special concepută pentru a transporta plachete semiconductoare în timpul depunerii peliculelor subțiri sau straturilor. În contextul depunerii în vapori de substanțe chimice metalo-organice (MOCVD), aceste plăci sunt realizate în special din materiale care pot rezista la temperaturi ridicate și oferă o suprafață stabilă pentru creșterea straturilor epitaxiale.

Placa susceptor utilizată în acest proces este construită din grafit care este acoperit cu carbură de siliciu (SiC) printr-un proces MOCVD în sine. Carbura de siliciu oferă stabilitate termică excepțională, rezistență mecanică și rezistență la reacții chimice, ceea ce o face o alegere ideală pentru condițiile solicitante ale creșterii epitaxiale.

În timpul MOCVD, placa susceptor joacă un rol esențial prin transferul eficient de căldură către plăcile semiconductoare. Placa absoarbe energie din mediul înconjurător și o radiază către plachete, facilitând depunerea controlată a filmelor subțiri pe suprafețele plachetelor. Acest control precis al temperaturii este esențial pentru obținerea de straturi epitaxiale uniforme și de înaltă calitate, care sunt cruciale în producția de dispozitive semiconductoare avansate.

Placa susceptor din procesele MOCVD, compusă din grafit acoperit cu SiC, servește ca o platformă de încredere pentru susținerea plachetelor semiconductoare, asigurând un transfer optim de căldură și contribuind la creșterea epitaxială cu succes a filmelor subțiri cu caracteristicile dorite pentru aplicațiile semiconductoare.