Disc receptor

Fabricat din grafit de înaltă puritate și acoperit cu un strat de carbură de siliciu (SiC) folosind tehnica MOCVD, discul Susceptor Semicorex combină proprietăți termice excepționale cu o stabilitate chimică remarcabilă. Acoperirea cu carbură de siliciu asigură o rezistență excelentă la temperaturi ridicate și condiții corozive, cruciale pentru menținerea integrității discului Susceptor în medii provocatoare.

În plus, învelișul SiC de pe Discul Susceptor își îmbunătățește conductibilitatea termică, ceea ce permite o distribuție rapidă și uniformă a căldurii, esențială pentru creșterea epitaxială consistentă. Absoarbe și radiază căldură eficient, oferind o temperatură stabilă, uniformă, esențială pentru depunerea filmelor subțiri. Această uniformitate este vitală pentru obținerea de straturi epitaxiale de înaltă calitate, care sunt fundamentale pentru funcționalitatea și performanța dispozitivelor semiconductoare avansate.

Designul Susceptor Disc abordează, de asemenea, provocarea expansiunii termice. Coeficientul său minim de dilatare termică asigură o legătură puternică cu straturile epitaxiale, reducând riscul de fisurare din cauza ciclării termice. Această caracteristică, împreună cu punctul de topire ridicat al discului Susceptor și rezistența excelentă la oxidare, permite o funcționare fiabilă în condiții extreme.

Cu aceste proprietăți avansate, Susceptor Disc nu numai că îndeplinește, dar depășește cerințele stricte ale aplicațiilor moderne MOCVD, oferind o soluție fiabilă, de înaltă performanță, care îmbunătățește eficiența generală și randamentul procesului de creștere epitaxială.