Epi Susceptor de siliciu monocristal

Susceptorii din procesarea creșterii epitaxiale necesită capacitatea de a rezista la temperaturi ridicate și de a suporta proceduri riguroase de curățare chimică. Epi Susceptor de siliciu cu un singur cristal a fost proiectat meticulos pentru a răspunde în mod specific acestor cerințe exigente întâlnite în aplicațiile echipamentelor de epitaxie.

Acești susceptori au o construcție din grafit acoperit cu carbură de siliciu (SiC) de înaltă puritate, care conferă o rezistență de neegalat la căldură, asigurând o distribuție termică uniformă pentru grosime și rezistență consistentă a stratului de epitaxie.

În plus, Epi Susceptor de siliciu cu un singur cristal prezintă o durabilitate remarcabilă împotriva agenților de curățare chimici duri. Utilizarea acoperirii cu cristale fine de SiC contribuie în continuare la o suprafață netedă și curată, care este de o importanță capitală pentru o manipulare eficientă, deoarece napolitanele nepătate intră în contact cu susceptorul în numeroase puncte de-a lungul întregii lor suprafețe.

Utilizarea Epi Susceptor de siliciu cu un singur cristal asigură fiabilitate neclintită și o durată de viață extinsă, atenuând nevoia de înlocuiri frecvente și reducând ulterior atât timpul de nefuncționare, cât și cheltuielile de întreținere. Construcția sa robustă și capacitățile operaționale excepționale contribuie în mod semnificativ la creșterea eficienței procesului, sporind în cele din urmă productivitatea și rentabilitatea în domeniul operațiunilor de fabricare a semiconductoarelor.