Placă de Si Epitaxială monocristalală

Un atribut primordial al plăcii epitaxiale monocristaline de Si constă în densitatea sa superioară. Integrarea unui substrat de grafit cu o acoperire cu carbură de siliciu oferă o densitate cuprinzătoare care este capabilă să protejeze împotriva condițiilor riguroase întâlnite în medii cu temperaturi ridicate și corozive. În plus, susceptorul acoperit cu carbură de siliciu, conceput pentru sinteza monocristalelor, se mândrește cu un profil de suprafață excepțional de uniform – un factor determinant critic pentru producția susținută de plachete de o calitate impecabilă.

La fel de esențial pentru designul produsului nostru este atenuarea discrepanțelor de dilatare termică dintre miezul de grafit și acoperirea sa din carbură de siliciu. O astfel de inovație mărește considerabil robustețea adezivului, eludând astfel fenomenele de fisuri și stratificare. Sincronizat cu aceasta, placa Epitaxială cu un singur cristal din Si prezintă o conductivitate termică ridicată, împreună cu o tendință lăudabilă pentru o alocare uniformă a căldurii - factori care sunt esențiali în obținerea omogenității temperaturii în timpul ciclului de producție.

Mai mult, placa Epitaxială cu un singur cristal de Si demonstrează o rezistență lăudabilă la degradarea oxidativă și coroziva la temperaturi ridicate, susținând longevitatea și fiabilitatea acesteia. Pragul său de rezistență termică este subliniat de un punct de topire semnificativ, asigurându-i astfel capacitatea de a suporta mediul termic solicitant intrinsec fabricării competente a semiconductoarelor