Placă de gravare ICP din carbură de siliciu

Placă de gravare ICP din carbură de siliciueste competent în a oferi suport stabil și poziționare precisă pentru napolitane în operațiunile de gravare, prevenind eficient reducerile de precizie de gravare cauzate de vibrații sau deplasări.

Placa de gravare ICP cu carbură de siliciu are capacități de gestionare termică. Conductivitate termică superioară deCeramica SICoferă plăcii de gravare ICP cu carbură de siliciu capacitatea de a disipa rapid căldura, ceea ce ajută la prevenirea supraîncălzirii locale a piesei de prelucrat și la asigurarea uniformității temperaturii de gravare, îmbunătățind astfel calitatea gravării. Ceramica SiC are un coeficient scăzut de dilatare termică, ceea ce permite plăcii de gravare ICP cu carbură de siliciu să mențină o bună stabilitate dimensională și să reducă deplasarea sau deformarea piesei de prelucrat cauzate de expansiunea termică.

Bazându-se pe proprietățile sale excelente de duritate și rezistență, placa de gravare ICP cu carbură de siliciu arată capacitatea de a tolera stresul mecanic și impactul cu plasmă întâlnite în timpul procesului de gravare cu deformare sau deteriorare minimă. Această capacitate îmbunătățește eficient randamentul și eficiența de producție a dispozitivelor semiconductoare.

Mediul de operare ICP necesită curățenie la nivel de semiconductor. Placa de gravare ICP din carbură de siliciu de la Semicorex poate îndeplini pe deplin această cerință, oferind o rezistență excepțională la gazele chimice (cum ar fi clorul și fluorul) și plasma din mediile de gravare ICP. Această caracteristică semnificativă menține mediul de proces curat prin reducerea cantității de contaminanți eliberați în timpul operațiunilor de gravare.

este competent în a oferi suport stabil și poziționare precisă pentru napolitane în operațiunile de gravare, prevenind eficient reducerile de precizie de gravare cauzate de vibrații sau deplasări.