Efector final SiC

Semicorex este un producător și furnizor pe scară largă de susceptor de grafit acoperit cu carbură de siliciu în China. Ne concentrăm pe industriile semiconductoare, cum ar fi straturile de carbură de siliciu și semiconductorul de epitaxie. Efectorul nostru final SiC are un avantaj bun de preț și acoperă multe dintre piețele europene și americane. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Semicorex SiC End Effector este fabricat din grafit de acoperire cu carbură de siliciu (SiC), acoperirea este aplicată printr-o metodă CVD pe grade specifice de grafit de înaltă densitate, astfel încât să poată funcționa în cuptorul de înaltă temperatură cu peste 3000 °C într-o atmosferă inertă, 2200°C în vid.

Efectorul nostru terminal SiC este proiectat pentru a obține cel mai bun model de flux de gaz laminar, asigurând uniformitatea profilului termic. Acest lucru ajută la prevenirea oricărei contaminări sau difuzarea impurităților, asigurând creșterea epitaxială de înaltă calitate pe cipul de napolitană.

Contactați-ne astăzi pentru a afla mai multe despre SiC End Effector.

Parametrii SiC End Effector

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC
Proprietăți SiC-CVD
Structura de cristal	faza FCC β
Densitate	g/cm³	3.21
Duritate	Duritatea Vickers	2500
Dimensiunea boabelor	μm	2~10
Puritatea chimică	%	99.99995
Capacitatea termică	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimare	℃	2700
Forța felexurală	MPa (RT în 4 puncte)	415
Modulul tinerilor	Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃)	430
Expansiune termică (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivitate termică	(W/mK)	300