Tub pentru cuptor de difuzie SiC

Rezistență la încovoiere ridicată: Tubul pentru cuptor de difuzie Semicorex SiC se mândrește cu o rezistență la încovoiere care depășește 200MPa, asigurând performanțe mecanice excepționale și integritate structurală în condiții de solicitare ridicată tipice proceselor de fabricație a semiconductorilor.

Rezistență remarcabilă la oxidare: Aceste tuburi pentru cuptor de difuzie SiC prezintă o rezistență superioară la oxidare, cea mai bună dintre toate ceramicele non-oxidice. Această caracteristică asigură stabilitate și performanță pe termen lung în medii cu temperaturi ridicate, reducând riscul de degradare și prelungind durata de viață a tuburilor.

Rezistență excelentă la coroziune: inerția chimică a tubului pentru cuptor de difuzie SiC oferă o rezistență excelentă la coroziune, făcând aceste tuburi ideale pentru utilizarea în medii chimice dure întâlnite adesea în procesarea semiconductoarelor.

Rezistență ridicată la uzură: Tubul pentru cuptor de difuzie SiC este foarte rezistent la uzură, ceea ce este crucial pentru menținerea stabilității dimensionale și reducerea cerințelor de întreținere pe perioade prelungite de utilizare în condiții abrazive.

Coeficient scăzut de frecare: coeficientul scăzut de frecare al tubului cuptorului de difuzie SiC reduce uzura atât pe tuburi, cât și pe plachete, asigurând o funcționare lină și minimizând riscurile de contaminare în timpul procesării semiconductoarelor.

Proprietăți mecanice superioare la temperatură înaltă: tubul pentru cuptor de difuzie SiC demonstrează cele mai bune proprietăți mecanice la temperatură înaltă dintre materialele ceramice cunoscute, inclusiv rezistență remarcabilă și rezistență la fluaj. Acest lucru îl face deosebit de potrivit pentru aplicații care necesită stabilitate pe termen lung la temperaturi ridicate.

Cu acoperire CVD: Acoperirea SiC Semicorex Chemical Vapor Deposition (CVD) atinge un nivel de puritate mai mare de 99,9995%, cu conținut de impurități sub 5 ppm și impurități metalice dăunătoare sub 1 ppm. Procesul de acoperire CVD asigură că tuburile îndeplinesc cerințele stricte de etanșeitate la vid de 2-3Torr, esențiale pentru mediile de producție de semiconductori de înaltă precizie.

Aplicație în cuptoare de difuzie: Aceste tuburi de cuptoare de difuzie SiC sunt proiectate special pentru utilizare în cuptoare de difuzie, unde joacă un rol critic în procesele la temperatură înaltă, cum ar fi dopajul și oxidarea. Proprietățile lor avansate ale materialelor le asigură că pot rezista la condițiile solicitante ale acestor procese, sporind astfel eficiența și fiabilitatea producției de semiconductori.