SIC Acoperire Partea plată

Semicorex SIC Coating Plate Part este o componentă de grafit acoperită cu SIC de înaltă performanță, proiectată special pentru procesul de epitaxie SIC. Funcția sa principală este de a facilita conducerea uniformă a fluxului de aer și de a asigura o distribuție constantă a gazelor în timpul etapei de creștere epitaxială, ceea ce o face o componentă indispensabilă în fabricarea semiconductorilor SIC. Alegerea semicorexului garantează soluții superioare de calitate și proiecții de precizie adaptate industriei semiconductorilor.

Acoperirea SIC oferă o rezistență excepțională la temperaturi ridicate, coroziune chimică și deformare termică, asigurând performanțe de lungă durată în medii solicitante. Baza de grafit îmbunătățește integritatea structurală a componentei, în timp ce acoperirea uniformă SIC asigură o suprafață de înaltă puritate critică pentru procesele de epitaxie sensibile. Această combinație de materiale face ca acoperirea SIC să fie o soluție fiabilă pentru realizarea straturilor epitaxiale uniforme și optimizarea eficienței generale a producției.

Conductivitatea termică excelentă și stabilitatea grafitului oferă avantaje semnificative ca componentă în echipamentele epitaxiale. Cu toate acestea, utilizarea grafitului pur singur poate duce la mai multe probleme. În timpul procesului de producție, gazele corozive și reziduurile metalice-organice pot determina corodarea și deteriorarea bazei de grafit, reducând semnificativ durata de viață a serviciului. În plus, orice pulbere de grafit care se încadrează poate contamina cipul, ceea ce face esențială să abordeze aceste probleme în timpul pregătirii bazei.

Tehnologia de acoperire poate atenua eficient aceste probleme prin fixarea pulberii de suprafață, îmbunătățirea conductivității termice și echilibrarea distribuției căldurii. Această tehnologie este vitală pentru asigurarea durabilității bazei de grafit. În funcție de mediul de aplicație și de cerințele de utilizare specifice, acoperirea de suprafață ar trebui să dețină următoarele caracteristici:

1. Densitate ridicată și acoperire completă: baza de grafit funcționează într-un mediu coroziv la temperatură ridicată și trebuie să fie complet acoperit. Acoperirea trebuie să fie densă pentru a oferi o protecție eficientă.

2. Flatitate bună a suprafeței: baza de grafit folosită pentru creșterea cu un singur cristal necesită o planeitate de suprafață foarte mare. Prin urmare, procesul de acoperire trebuie să mențină planeitatea inițială a bazei, asigurându -se că suprafața de acoperire este uniformă.

3. Puterea puternică a legăturii: pentru a îmbunătăți legătura dintre baza de grafit și materialul de acoperire, este crucial să se minimizeze diferența de coeficienți de expansiune termică. Această îmbunătățire asigură faptul că acoperirea rămâne intactă chiar și după ce a suferit cicluri termice la temperaturi mari și scăzute.

4. Conductivitate termică ridicată: Pentru o creștere optimă a cipurilor, baza de grafit trebuie să ofere o distribuție rapidă și uniformă a căldurii. În consecință, materialul de acoperire ar trebui să aibă o conductivitate termică ridicată.

5. Punctul de topire ridicat și rezistența la oxidare și coroziune: acoperirea trebuie să fie capabilă să funcționeze în mod fiabil în medii la temperatură ridicată și corozivă.

Concentrându-se pe aceste caracteristici cheie, longevitatea și performanța componentelor bazate pe grafit în echipamentele epitaxiale pot fi îmbunătățite semnificativ.

Cu tehnici avansate de fabricație, Semicorex oferă modele personalizate pentru a satisface cerințele de proces specifice. Partea plană de acoperire SIC este testată riguros pentru precizia dimensională și durabilitate, reflectând angajamentul semicorexurilor pentru excelență în materialele semiconductoare. Indiferent dacă este utilizat în setările de producție în masă sau de cercetare, această componentă asigură un control precis și un randament ridicat în aplicațiile de epitaxie SIC.