Inel de suport acoperit cu SiC

Semicorex SiC Coated Support Ring joacă un rol critic în asigurarea preciziei și calității straturilor epitaxiale depuse pe plăcile semiconductoare.

Inelul de suport acoperit cu SiC oferă un strat de protecție robust care rezistă la temperaturi extreme și medii corozive tipice în reactoarele de creștere epitaxiale. Proprietățile termice superioare ale SiC asigură distribuția uniformă a temperaturii pe suprafața plachetei, minimizând gradienții termici și tensiunile. Această stabilitate este crucială pentru obținerea de straturi epitaxiale de înaltă calitate, cu defecte minime.

Inelul suport acoperit cu SiC rezistă atacurilor chimice de la gazele reactive utilizate în procesul epitaxial, prelungind durata de viață operațională a inelului suport și menținând integritatea procesului. Această rezistență reduce riscurile de contaminare, contribuind la o puritate mai mare și o performanță mai bună a dispozitivelor semiconductoare.

Inelul de susținere acoperit cu SiC menține poziționarea precisă a plachetei, esențială pentru depunerea uniformă a stratului. Integritatea structurală a inelului de susținere acoperit cu SiC în condiții de temperatură înaltă asigură o performanță constantă pe mai multe cicluri de procesare.

Semicorex SiC Coated Support Ring este o componentă esențială în dezvoltarea tehnologiei semiconductoare, asigurând producția de dispozitive de înaltă calitate, cu performanță și fiabilitate optime.