Disc de epitaxie acoperit cu SiC

Semicorex SiC Coated Epitaxy Disc prezintă o serie de avantaje de neegalat în industria semiconductoarelor, care pot fi elaborate în continuare după cum urmează:

Coeficient scăzut de expansiune termică: Discul epitaxial acoperit cu SiC se mândrește cu un coeficient de dilatare termică deosebit de scăzut, care este critic în procesarea semiconductoarelor unde stabilitatea dimensională este esențială. Acest atribut asigură că discul de epitaxie acoperit cu SiC suferă o expansiune sau o contracție minimă la variațiile de temperatură, menținând integritatea structurii semiconductoare în timpul proceselor la temperatură înaltă.

Rezistența la oxidare la temperatură înaltă: Proiectat cu o rezistență remarcabilă la oxidare, acest disc de epitaxie acoperit cu SiC își păstrează integritatea structurală la temperaturi ridicate, făcându-l o componentă ideală pentru aplicații în procesele semiconductoare la temperatură înaltă unde stabilitatea termică este crucială.

Suprafață densă și fin-poroasă: suprafața discului epitaxial acoperit cu SiC este caracterizată prin densitatea și porozitatea sa fină, care oferă o textură de suprafață optimă pentru aderarea diferitelor acoperiri și asigură îndepărtarea eficientă a materialului în timpul procesării plachetelor semiconductoare fără a deteriora suprafața delicată.

Duritate ridicată: Acoperirea conferă un nivel ridicat de duritate discului de grafit, care este rezistent la zgârieturi și uzură, prelungind astfel durata de viață a discului epitaxial acoperit cu SiC și reducând frecvența de înlocuire în mediile de producție a semiconductorilor.

Rezistență la acizi, baze, săruri și reactivi organici: acoperirea CVD SiC a discului epitaxial acoperit cu SiC oferă o rezistență excelentă la o gamă largă de agenți corozivi, inclusiv acizi, baze, săruri și reactivi organici, făcându-l potrivit pentru utilizarea în medii în care expunerea chimică este o preocupare, sporind astfel fiabilitatea și longevitatea echipamentului.

Stratul de suprafață Beta-SiC: Stratul de suprafață SIC (Carbură de Siliciu) al discului Epitaxial acoperit cu SiC este format din beta-SiC, care are o structură cristalină cubică centrată pe față (FCC). Această structură cristalină contribuie la proprietățile mecanice și termice excepționale ale acoperirii, oferind rezistență și conductivitate termică superioară discului, care este esențială pentru echipamentele de procesare a semiconductoarelor.