Braț robotizat din ceramică SiC

ceramica SiCbrațul robotizateste utilizat în mai multe procese de fabricare a plachetelor semiconductoare, jucând un rol important în asigurarea calității și eficienței fabricării plachetelor. Este instalat în mod obișnuit în interiorul și în afara camerelor diferitelor echipamente frontale cu semiconductori, cum ar fi mașini de gravat, echipamente de depunere, mașini de litografie, echipamente de curățare, participând direct la manipularea și poziționarea plachetelor semiconductoare. 

Placile semiconductoare sunt ușor contaminate cu particule, astfel încât procesele lor de fabricație aferente sunt efectuate în principal în echipamente cu semiconductor curat și în vid. În funcționare efectivă, ca componentă esențială a unui astfel de echipament, brațul robotic ceramic SiC vine în contact direct cu plăcile semiconductoare și trebuie să îndeplinească, de asemenea, cerințe de curățenie ultra-înalte. Brațul robotic ceramic SiC al Semicorex este realizat din ceramică cu carbură de siliciu de înaltă performanță, urmată de finisare de precizie a suprafeței și tratament de curățare, care poate îndeplini cu exactitate cerințele stricte ale producției de semiconductori pentru curățenie și planeitatea suprafeței. Acest lucru contribuie semnificativ la reducerea defectelor de napolitană și la îmbunătățirea randamentului producției de napolitane.

ceramica SiCBrațul robotizat este opțiunea optimă pentru procedurile de tratament termic, cum ar fi recoacere, oxidare și difuzie. Datorită stabilității termice excepționale și rezistenței superioare la șocuri termice a materialelor din carbură de siliciu, brațul robotizat ceramic SiC poate funcționa în mod fiabil pentru perioade prelungite de timp în condiții de temperatură ridicată. Poate rezista influenței expansiunii termice și își păstrează integritatea structurală sub stres termic, asigurând astfel precizia constantă a poziționării plachetelor.

Datorită rezistenței sale robuste la gaze și lichide corozive, brațul robotizat ceramic SiC își poate menține performanța stabil chiar și atunci când este expus la atmosfere agresive de proces corozive, cum ar fi gravarea, depunerea de pelicule subțiri și implantarea ionilor. Această performanță de rezistență la coroziune îmbunătățește eficiența fabricării plachetelor semiconductoare prin reducerea eficientă a riscului de deteriorare a componentelor cauzate de coroziune și reducerea nevoii de înlocuiri frecvente și întreținere.