Receptor SiC ALD

Beneficiile SemicorexReceptor SiC ALD:

Stabilitate la temperaturi ridicate:Susceptorul SiC ALD își menține integritatea structurală la temperaturi ridicate (până la 1600°C), permițând procese ALD la temperatură înaltă care au ca rezultat pelicule mai dense cu proprietăți electrice îmbunătățite.

Inerție chimică:Susceptorul SiC ALD prezintă o rezistență excelentă la o gamă largă de substanțe chimice și precursori utilizați în ALD, minimizând riscurile de contaminare și asigurând o calitate consistentă a filmului.

Distribuție uniformă a temperaturii:Conductivitatea termică ridicată a susceptorului SiC ALD promovează distribuția uniformă a temperaturii pe suprafața susceptorului, conducând la depunerea uniformă a filmului și la îmbunătățirea performanței dispozitivului.

Degazare scăzută:SiC are proprietăți scăzute de degajare, ceea ce înseamnă că eliberează impurități minime la temperaturi ridicate. Acest lucru este crucial pentru menținerea unui mediu curat de procesare și prevenirea contaminării filmului depus.

Rezistenta plasmatica:SiC demonstrează o rezistență bună la gravarea cu plasmă, făcându-l compatibil cu procesele ALD îmbunătățite cu plasmă (PEALD).

Durata de viata lunga:Durabilitatea și rezistența la uzură ale susceptorului SiC ALD se traduc printr-o durată de viață mai lungă a susceptorului, reducând nevoia de înlocuiri frecvente și scăzând costurile totale de operare.

Comparația dintre ALD și CVD:

Depunerea în strat atomic (ALD) și depunerea chimică în vapori (CVD) sunt ambele tehnici de depunere în strat subțire utilizate pe scară largă, cu caracteristici distincte. Înțelegerea diferențelor lor este crucială pentru selectarea celei mai potrivite metode pentru o anumită aplicație.

ALD vs CVD

Avantajele cheie ale ALD:

Control excepțional al grosimii și uniformității:Ideal pentru aplicații care necesită precizie la nivel atomic și acoperiri conforme pe geometrii complexe.

Procesare la temperaturi joase:Permite depunerea pe substraturi sensibile la temperatură și o selecție mai largă de materiale.

Calitate înaltă a filmului:Rezultă pelicule dense, fără găuri, cu impurități reduse.

Avantajele cheie ale CVD:

Rată mai mare de depunere:Potrivit pentru aplicații care necesită viteze de depunere mai rapide și filme mai groase.

Cost mai mic:Mai rentabil pentru depuneri pe suprafețe mari și aplicații mai puțin solicitante.

Versatilitate:Poate depune o gamă largă de materiale, inclusiv metale, semiconductori și izolatori.

Comparația metodei de depunere a filmului subțire