Inelele de ghidare de acoperire TaC sunt inele de grafit cu un strat de carbură de tantal, concepute pentru a fi utilizate în cuptoarele de creștere a cristalelor cu carbură de siliciu pentru a îmbunătăți calitatea cristalului. Alegeți Semicorex pentru tehnologia sa avansată de acoperire, asigurând durabilitate superioară, stabilitate termică și performanță optimizată de creștere a cristalelor.*
Citeşte mai multTrimite o anchetăInelul de ghidare Semicorex Tantalum Carbide este un inel de grafit acoperit cu carbură de tantal, utilizat în cuptoarele de creștere a cristalelor cu carbură de siliciu pentru susținerea cristalelor semințe, optimizarea temperaturii și stabilitatea sporită a creșterii. Alegeți Semicorex pentru materialele și designul său avansat, care îmbunătățesc semnificativ eficiența și calitatea creșterii cristalelor.*
Citeşte mai multTrimite o anchetăInelul de carbură de tantal Semicorex este un inel de grafit acoperit cu carbură de tantal, utilizat ca inel de ghidare în cuptoarele de creștere a cristalelor de carbură de siliciu pentru a asigura un control precis al temperaturii și al debitului de gaz. Alegeți Semicorex pentru tehnologia sa avansată de acoperire și materialele de înaltă calitate, oferind componente durabile și fiabile care sporesc eficiența creșterii cristalelor și durata de viață a produsului.*
Citeşte mai multTrimite o anchetăSemicorex SiC O Ring este foarte apreciat într-o gamă largă de industrii pentru capacitățile excepționale de etanșare și proprietățile materialelor. Utilizarea sa acoperă aplicații în care condițiile extreme, cum ar fi temperaturile ridicate, substanțele chimice agresive, stresul mecanic și curățenia strictă sunt de rutină.**
Citeşte mai multTrimite o anchetăSemicorex TaC Coating Wafer Tava trebuie să fie proiectată pentru a face față provocărilor condițiile extreme din camera de reacție, inclusiv temperaturi ridicate și medii reactive chimic.**
Citeşte mai multTrimite o anchetăCamera de reacție Semicorex LPE Halfmoon este indispensabilă pentru funcționarea eficientă și fiabilă a epitaxiei SiC, asigurând producerea de straturi epitaxiale de înaltă calitate, reducând în același timp costurile de întreținere și sporind eficiența operațională. **
Citeşte mai multTrimite o anchetă