- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Știri
Procese cu plasmă în operațiuni CVD
Depunerea chimică în vapori (CVD) se referă la o tehnologie de proces în care mai mulți reactanți gazoși la presiuni parțiale variate suferă o reacție chimică în condiții specifice de temperatură și presiune. Substanța solidă rezultată se depune pe suprafața materialului substrat, obținând astfel fi......
Citeşte mai mult
Creșterea și perspectiva pieței dispozitivelor de alimentare cu carbură de siliciu (SiC).
Pe măsură ce acceptarea globală a vehiculelor electrice crește treptat, carbura de siliciu (SiC) va întâlni noi oportunități de creștere în următorul deceniu. Se anticipează că producătorii de semiconductori de putere și operatorii din industria auto vor participa mai activ la construcția lanțului v......
Citeşte mai mult
Straturi și substraturi epitaxiale de siliciu în fabricarea semiconductoarelor
În electronica modernă, optoelectronica, microelectronica și domeniile tehnologiei informației, substraturile semiconductoare și tehnologiile epitaxiale sunt indispensabile. Acestea oferă o bază solidă pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare de înaltă performanță și fiabilitate ridicată. Pe......
Citeşte mai mult
Avantajele SiC în industria EV
Ca material semiconductor cu bandă interzisă (WBG), diferența de energie mai mare a SiC îi conferă proprietăți termice și electronice mai mari în comparație cu Si-ul tradițional. Această caracteristică permite dispozitivelor de alimentare să funcționeze la temperaturi, frecvențe și tensiuni mai ridi......
Citeşte mai mult
Controlul dopajului în creșterea SiC prin sublimare
Carbura de siliciu (SiC) joacă un rol important în fabricarea electronicelor de putere și a dispozitivelor de înaltă frecvență datorită proprietăților sale electrice și termice excelente. Calitatea și nivelul de dopaj al cristalelor de SiC afectează direct performanța dispozitivului, astfel încât co......
Citeşte mai mult
