Știri

Diferența dintre substraturile manechin, de cercetare, de producție SiC

Procesarea lingourilor de SiC

Ca reprezentant al materialelor semiconductoare de a treia generație, carbura de siliciu (SiC) se mândrește cu o bandgap largă, conductivitate termică ridicată, câmp electric de defalcare mare și mobilitate ridicată a electronilor, făcându-l un material ideal pentru dispozitive de înaltă tensiune, d......

Introducere în trei tipuri de procese de oxidare

Procesul de oxidare se referă la procesul de furnizare a oxidanților (cum ar fi oxigenul, vaporii de apă) și energie termică pe plachetele de siliciu, provocând o reacție chimică între siliciu și oxidanți pentru a forma o peliculă protectoare de dioxid de siliciu (SiO₂).

Ce este tehnologia wafer-bonding?

Lipirea plachetelor este o tehnologie importantă vitală în fabricarea semiconductoarelor. Folosește metode fizice sau chimice pentru a lega două plachete netede și curate împreună pentru a realiza funcții specifice sau pentru a ajuta procesul de fabricație a semiconductorilor. Este o tehnologie ......

Capete de duș în Gravurare

Capurile de duș cu carbură de siliciu (SiC) sunt componente cheie în echipamentele de fabricare a semiconductoarelor, jucând un rol crucial în procese avansate, cum ar fi depunerea chimică în vapori (CVD) și depunerea stratului atomic (ALD).

Ce este ceramica cu carbură de siliciu recristalizată?

Carbura de siliciu recristalizată este o ceramică de înaltă performanță formată prin combinarea particulelor de SiC printr-un mecanism de evaporare-condensare pentru a forma un corp sinterizat puternic în fază solidă. Caracteristica sa cea mai notabilă este că nu se adaugă ajutoare de sinterizare, i......