Pulberea de carbură de siliciu de tip N Semicorex (SiC) este un material SiC dopat de înaltă puritate, conceput special pentru aplicații avansate de creștere a cristalelor. Semicorex se angajează să ofere produse de calitate la prețuri competitive, așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.
Pulberea de carbură de siliciu de tip N Semicorex (SiC) este un material SiC dopat de înaltă puritate, conceput special pentru aplicații avansate de creștere a cristalelor. Această pulbere de carbură de siliciu de tip N se caracterizează prin proprietățile sale electrice superioare și integritatea structurală, ceea ce o face o alegere ideală pentru producerea de cristale de carbură de siliciu utilizate în diferite dispozitive semiconductoare de înaltă performanță.
Pulberea de carbură de siliciu de tip N este dopată cu azot (N), care introduce electroni liberi suplimentari în rețeaua cristalină SiC, sporind conductivitatea electrică a acestuia. Acest dopaj de tip N este crucial pentru aplicațiile care necesită proprietăți electronice precise. Pulberea de carbură de siliciu de tip N este supusă unor procese stricte de purificare pentru a atinge un nivel ridicat de puritate, minimizând prezența impurităților care ar putea afecta procesul de creștere a cristalului și performanța produsului final.
Pulberea de carbură de siliciu de tip N Semicorex constă din particule fine, de dimensiuni uniforme, care promovează creșterea uniformă a cristalelor și îmbunătățesc calitatea generală a cristalelor de carbură de siliciu.
Folosită în principal în creșterea cristalelor de carbură de siliciu, această pulbere de carbură de siliciu de tip N este parte integrantă în fabricarea de dispozitive electronice de mare putere, senzori de temperatură înaltă și diferite componente optoelectronice. De asemenea, este potrivit pentru utilizare în cercetare și dezvoltare în industria semiconductoarelor.
Caracteristici
Model | Puritate | Densitatea ambalajului | D10 | D50 | D90 |
SiC-N-S | >6N | <1,7 g/cm3 | 100μm | 300μm | 500μm |
SiC-N-M | >6N | <1,3g/cm3 | 500μm | 1000μm | 2000μm |
SiC-N-L | >6N | <1,3g/cm3 | 1000μm | 1500μm | 2500μm |
Aplicatii:
Creșterea cristalelor din carbură de siliciu: Folosit ca material sursă pentru creșterea cristalelor de SiC de înaltă calitate.
Dispozitive semiconductoare: Ideale pentru componente electronice de mare putere și de înaltă frecvență.
Electronice de înaltă temperatură: potrivite pentru aplicații care necesită performanțe robuste în condiții extreme.
Optoelectronica: Utilizată în dispozitive care necesită proprietăți termice și electrice excepționale.