LPE Part

Piesele Semicorex LPE sunt componente de înaltă performanță acoperite cu SiC special concepute pentru utilizare în procesul de epitaxie SiC. Aceste componente sunt proiectate pentru a rezista la condițiile solicitante ale creșterii cristalelor de SiC, oferind stabilitate termică superioară, rezistență chimică și rezistență mecanică. Atunci când alegeți piesele LPE Semicorex, vi se garantează o durabilitate excepțională, precizie și o soluție personalizată pentru nevoile dvs. de proces de epitaxie SiC.

Piesele Semicorex LPE sunt realizate cu materiale avansate și tehnici de fabricație precise, asigurând consistența și fiabilitatea în fiecare unitate. Proprietățile fizice și chimice ale acoperirii au cerințe stricte pentru rezistența la temperaturi ridicate și rezistența la coroziune, care afectează direct randamentul și durata de viață a produsului. Materialul SiC are rezistență ridicată, duritate ridicată, coeficient scăzut de dilatare termică și conductivitate termică bună. Este un material structural important la temperatură înaltă și un material semiconductor la temperatură înaltă. Se aplică pe baze de grafit. Avantajele sale sunt:

1) SiC este rezistent la coroziune și poate înveli complet baza de grafit și are o densitate bună pentru a evita deteriorarea de către gazele corozive. 2) SiC are o conductivitate termică ridicată și o rezistență ridicată de aderență cu baza de grafit, asigurându-se că stratul de acoperire nu este ușor de desprins după ce au experimentat mai multe cicluri de temperatură înaltă și joasă. 3) SiC are o stabilitate chimică bună pentru a evita eșecul acoperirii într-o atmosferă la temperatură ridicată și corozivă. În plus, cuptoarele epitaxiale din diferite materiale necesită tăvi de grafit cu indicatori de performanță diferiți. Potrivirea coeficientului de dilatare termică a materialelor din grafit necesită adaptarea la temperatura de creștere a cuptorului epitaxial. De exemplu, temperatura epitaxiei cu carbură de siliciu este ridicată și este necesară o tavă cu o potrivire mare a coeficientului de dilatare termică. Coeficientul de dilatare termică al SiC este foarte apropiat de cel al grafitului, făcându-l potrivit ca material preferat pentru acoperirea suprafeței bazei de grafit.

Aplicații în procesul de epitaxie SiC

Procesul de epitaxie SiC este o etapă critică în producția de plachete SiC de înaltă calitate utilizate pentru dispozitive semiconductoare, inclusiv electronice de putere și optoelectronice. Piesele LPE, în special cele cu acoperiri SiC, joacă un rol esențial în controlul precis al temperaturii și al reacțiilor chimice din reactor. Aceste componente sunt plasate strategic în reactor pentru a facilita creșterea optimă a plachetelor, menținând în același timp puritatea și uniformitatea cristalelor de SiC.

La Semicorex, înțelegem că fiecare proces de epitaxie SiC are cerințe unice. De aceea, piesele noastre LPE pot fi complet personalizate pentru a satisface nevoile specifice ale operațiunii dumneavoastră. Fie că este vorba despre dimensiunea, forma sau grosimea stratului de acoperire, echipa noastră de ingineri lucrează îndeaproape cu clienții pentru a livra componente care le optimizează procesele de producție.

Acoperirea de înaltă calitate SiC aplicată pieselor noastre asigură, de asemenea, o durabilitate superioară. Spre deosebire de materialele convenționale, SiC oferă o durată de viață mai lungă în condiții grele de funcționare, reducând frecvența întreținerii și timpii de nefuncționare. Această longevitate se traduce prin costuri operaționale mai mici și eficiență sporită pentru producătorii de semiconductori.

Piesele Semicorex LPE sunt proiectate cu precizie și proiectate pentru a satisface cerințele stricte ale procesului de epitaxie SiC. Componentele noastre sunt produse folosind cea mai recentă tehnologie, asigurându-se că oferă performanțe și longevitate de neegalat. Alegând Semicorex, selectați un partener care înțelege complexitățile producției de semiconductori și se angajează să furnizeze produse fiabile, de înaltă calitate, care vă îmbunătățesc capacitățile de producție.

Piese Semicorex LPE, cu acesteaAcoperire SiC, sunt alegerea ideală pentru îmbunătățirea performanței și longevității reactoarelor de epitaxie SiC. Aceste componente oferă stabilitate termică superioară, rezistență chimică și rezistență mecanică, asigurând că procesul de creștere a cristalelor de SiC se desfășoară fără probleme și eficient. Cu opțiunile de personalizare disponibile, Semicorex oferă o soluție personalizată care îndeplinește cerințele dumneavoastră specifice de proces, făcându-ne partenerul de încredere pentru producătorii de semiconductori din întreaga lume.