Dacă sunteți în căutarea unui susceptor de grafit de înaltă calitate acoperit cu SiC de înaltă puritate, Susceptor-ul Semicorex LPE cu acoperire SiC este alegerea perfectă. Conductivitatea termică excepțională și proprietățile de distribuție a căldurii îl fac ideal pentru utilizarea în aplicațiile de fabricare a semiconductoarelor.
Susceptor de butoi Semicorex LPE cu acoperire SiC este un produs din grafit de calitate premium acoperit cu SiC de înaltă puritate, ceea ce îl face alegerea ideală pentru utilizare în medii cu temperaturi ridicate și corozive. Densitatea sa excelentă și conductibilitatea termică asigură o distribuție excepțională a căldurii și protecție în aplicațiile de fabricare a semiconductorilor.
La Semicorex, ne concentrăm pe furnizarea de produse de înaltă calitate, rentabile clienților noștri. Susceptorul nostru de butoi LPE cu acoperire SiC are un avantaj de preț și este exportat pe multe piețe europene și americane. Ne propunem să fim partenerul dumneavoastră pe termen lung, oferind produse de calitate consistentă și servicii excepționale pentru clienți.
Parametrii susceptorului de butoi LPE cu acoperire SiC
Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC |
||
Proprietăți SiC-CVD |
||
Structură cristalină |
faza FCC ² |
|
Densitate |
g/cm³ |
3.21 |
Duritate |
Duritatea Vickers |
2500 |
Marimea unui bob |
μm |
2~10 |
Puritatea chimică |
% |
99.99995 |
Capacitatea termică |
J·kg-1·K-1 |
640 |
Temperatura de sublimare |
℃ |
2700 |
Forța felexurală |
MPa (RT 4 puncte) |
415 |
Modulul Young |
Gpa (îndoire 4 pt, 1300â) |
430 |
Expansiune termică (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivitate termică |
(W/mK) |
300 |
Caracteristici ale susceptorului de butoi LPE cu acoperire SiC
- Atât substratul de grafit, cât și stratul de carbură de siliciu au o densitate bună și pot juca un rol protector bun în medii de lucru cu temperaturi ridicate și corozive.
- Susceptorul acoperit cu carbură de siliciu utilizat pentru creșterea unui singur cristal are o planeitate foarte mare a suprafeței.
- Reduceți diferența de coeficient de dilatare termică dintre substratul de grafit și stratul de carbură de siliciu, îmbunătățiți în mod eficient rezistența de lipire pentru a preveni fisurarea și delaminarea.
- Atât substratul de grafit, cât și stratul de carbură de siliciu au o conductivitate termică ridicată și proprietăți excelente de distribuție a căldurii.
- Punct de topire ridicat, rezistență la oxidare la temperaturi ridicate, rezistență la coroziune.