Acasă > Produse > Acoperit cu carbură de siliciu > Susceptor de butoi > Susceptor cilindric acoperit cu SiC la temperatură înaltă
Susceptor cilindric acoperit cu SiC la temperatură înaltă

Susceptor cilindric acoperit cu SiC la temperatură înaltă

Când vine vorba de fabricarea semiconductoarelor, susceptorul cu baril acoperit cu SiC de înaltă temperatură Semicorex este alegerea de top pentru performanță și fiabilitate superioare. Învelișul său de înaltă calitate SiC și conductibilitatea termică excepțională îl fac ideal pentru utilizare chiar și în cele mai solicitante medii de temperatură înaltă și corozive.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Susceptorul de butoi acoperit cu SiC de înaltă temperatură Semicorex este alegerea perfectă pentru creșterea unui singur cristal și alte aplicații de fabricare a semiconductorilor care necesită rezistență ridicată la căldură și coroziune. Învelișul său cu carbură de siliciu oferă protecție superioară și proprietăți de distribuție a căldurii, asigurând performanțe fiabile și consecvente chiar și în cele mai dificile medii.

La Semicorex, ne concentrăm pe furnizarea de susceptori de butoi acoperiți cu SiC de înaltă calitate, rentabile, de înaltă temperatură, acordăm prioritate satisfacției clienților și oferim soluții rentabile. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung, oferind produse de înaltă calitate și servicii excepționale pentru clienți.


Parametrii susceptorului de baril acoperit cu SiC la temperatură înaltă

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC

Proprietăți SiC-CVD

Structură cristalină

faza FCC ²

Densitate

g/cm³

3.21

Duritate

Duritatea Vickers

2500

Marimea unui bob

μm

2~10

Puritatea chimică

%

99.99995

Capacitatea termică

J·kg-1·K-1

640

Temperatura de sublimare

2700

Forța felexurală

MPa (RT 4 puncte)

415

Modulul Young

Gpa (îndoire 4 pt, 1300â)

430

Expansiune termică (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivitate termică

(W/mK)

300


Caracteristici ale susceptorului de butoi acoperit cu SiC de înaltă temperatură

- Atât substratul de grafit, cât și stratul de carbură de siliciu au o densitate bună și pot juca un rol protector bun în medii de lucru cu temperaturi ridicate și corozive.

- Susceptorul acoperit cu carbură de siliciu utilizat pentru creșterea unui singur cristal are o planeitate foarte mare a suprafeței.

- Reduceți diferența de coeficient de dilatare termică dintre substratul de grafit și stratul de carbură de siliciu, îmbunătățiți în mod eficient rezistența de lipire pentru a preveni fisurarea și delaminarea.

- Atât substratul de grafit, cât și stratul de carbură de siliciu au o conductivitate termică ridicată și proprietăți excelente de distribuție a căldurii.

- Punct de topire ridicat, rezistență la oxidare la temperaturi ridicate, rezistență la coroziune.




Hot Tags: Susceptor de butoi acoperit cu SiC la temperatură înaltă, China, producători, furnizori, fabrică, personalizat, vrac, avansat, durabil

Categorie aferentă

Trimite o anchetă

Vă rugăm să nu ezitați să trimiteți întrebarea dvs. în formularul de mai jos. Vă vom răspunde în 24 de ore.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept