Purtător de epitaxie GaN

Semicorex GaN Epitaxy Carrier excelează în transportul în siguranță a napolitanelor în cuptor, în timp ce este proiectat pentru procesele epitaxiale de napolitane. GaN Epitaxy Carrier este esențial pentru obținerea de filme subțiri reproductibile și straturi epitaxiale de înaltă calitate, necesare pentru producerea de dispozitive electronice și optoelectronice avansate.

Substratul de grafit al suportului de epitaxie GaN este îmbunătățit cu un strat de carbură de siliciu (SiC) de ultimă generație. Acest strat de SiC este aplicat cu meticulozitate prin depunere chimică de vapori, oferind o protecție robustă împotriva reacțiilor chimice și a uzurii în timpul procesului de epitaxie. În plus, învelișul SiC al purtătorului de epitaxie GaN îmbunătățește proprietățile termice ale purtătorului, facilitând încălzirea eficientă și uniformă a plachetelor. O astfel de încălzire uniformă este vitală pentru producerea de straturi epitaxiale consistente și de înaltă calitate pe plăcile semiconductoare.

Personalizabil pentru a se potrivi cu o varietate de dimensiuni ale plăcilor semiconductoare, Semicorex GaN Epitaxy Carrier este o soluție versatilă pentru diverse nevoi de producție. Indiferent dacă sunt necesare dimensiuni, forme sau grosimi de acoperire specifice, echipa noastră colaborează cu clienții pentru a dezvolta o soluție care să îndeplinească specificațiile precise ale acestora și să optimizeze performanța pentru aplicațiile lor unice.