Purtător de napolitane pentru epitaxie

Aplicicationi:Epitaxy Wafer Carrier, dezvoltat de Semicorex, este special conceput pentru utilizare în diferite procese avansate de fabricare a semiconductorilor. Aceste suporturi sunt foarte potrivite pentru medii precum:

Depunere chimică în vapori îmbunătățită cu plasmă (PECVD):În procesele PECVD, suportul pentru napolitane Epitaxie este esențial pentru manipularea substraturilor în timpul procesului de depunere a filmului subțire, asigurând o calitate constantă și uniformitate.

Epitaxia siliciului și SiC:Pentru aplicațiile de epitaxie cu siliciu și SiC, în care straturi subțiri sunt depuse pe substraturi pentru a forma structuri cristaline de înaltă calitate, suportul Epitaxy Wafer menține stabilitatea în condiții termice extreme.

Unitateăți de depunere în vapori de substanțe chimice metalo-organice (MOCVD):Folosite pentru fabricarea de dispozitive semiconductoare compuse, cum ar fi LED-uri și electronice de putere, unitățile MOCVD necesită purtători care pot susține temperaturile ridicate și mediile chimice agresive inerente procesului.

Avantaje:

Performanță stabilă și uniformă la temperaturi ridicate:

Combinația de acoperire cu grafit izotrop și carbură de siliciu (SiC) asigură stabilitate termică și uniformitate excepționale la temperaturi ridicate. Grafitul izotrop oferă proprietăți consistente în toate direcțiile, ceea ce este esențial pentru asigurarea unei performanțe fiabile în suportul Epitaxy Wafer utilizat sub stres termic. Acoperirea SiC contribuie la menținerea distribuției termice uniforme, prevenind punctele fierbinți și asigurând că purtătorul funcționează fiabil pe perioade lungi.

Rezistență sporită la coroziune și durată de viață extinsă a componentelor:

Acoperirea SiC, cu structura sa cristalină cubică, are ca rezultat un strat de acoperire de înaltă densitate. Această structură îmbunătățește în mod semnificativ rezistența suportului de napolitană Epitaxie la gazele și substanțele chimice corozive întâlnite de obicei în procesele PECVD, epitaxie și MOCVD. Acoperirea densă de SiC protejează substratul de grafit subiacent de degradare, prelungind astfel durata de viață a transportorului și reducând frecvența înlocuirilor.

Grosimea și acoperirea optime a stratului:

Semicorex utilizează o tehnologie de acoperire care asigură o grosime standard de acoperire SiC de 80 până la 100 µm. Această grosime este optimă pentru realizarea unui echilibru între protecția mecanică și conductibilitatea termică. Tehnologia asigură că toate zonele expuse, inclusiv cele cu geometrii complexe, sunt acoperite uniform, menținând un strat de protecție dens și continuu chiar și în caracteristicile mici și complicate.

Aderență superioară și protecție la coroziune:

Prin infiltrarea stratului superior de grafit cu acoperire SiC, Epitaxy Wafer Carrier realizează o aderență excepțională între substrat și acoperire. Această metodă nu numai că asigură că stratul de acoperire rămâne intact în condiții de solicitare mecanică, dar îmbunătățește și protecția împotriva coroziunii. Stratul de SiC strâns lipit acționează ca o barieră, împiedicând gazele reactive și substanțele chimice să ajungă la miezul de grafit, menținând astfel integritatea structurală a purtătorului în cazul expunerii prelungite la condiții dure de procesare.

Capacitatea de a acoperi geometrii complexe:

Tehnologia avansată de acoperire folosită de Semicorex permite aplicarea uniformă a acoperirii SiC pe geometrii complexe, cum ar fi găurile oarbe mici cu diametre de până la 1 mm și adâncimi care depășesc 5 mm. Această capacitate este esențială pentru asigurarea protecției cuprinzătoare a suportului pentru napolitane Epitaxie, chiar și în zonele care sunt în mod tradițional dificil de acoperit, prevenind astfel coroziunea și degradarea localizată.

Interfață de acoperire SiC de înaltă puritate și bine definită:

Pentru prelucrarea plachetelor din siliciu, safir, carbură de siliciu (SiC), nitrură de galiu (GaN) și alte materiale, puritatea ridicată a interfeței de acoperire cu SiC este un avantaj cheie. Această acoperire de înaltă puritate a suportului pentru napolitane Epitaxy previne contaminarea și menține integritatea plachetelor în timpul procesării la temperatură înaltă. Interfața bine definită asigură maximizarea conductivității termice, permițând un transfer eficient de căldură prin acoperire fără bariere termice semnificative.

Funcționează ca o barieră de difuzie:

Acoperirea de SiC a suportului pentru napolitane Epitaxy servește și ca o barieră eficientă de difuzie. Previne absorbția și desorbția impurităților din materialul de grafit subiacent, menținând astfel un mediu curat de procesare. Acest lucru este deosebit de important în producția de semiconductori, unde chiar și niveluri minime de impurități pot avea un impact semnificativ asupra caracteristicilor electrice ale produsului final.