Receptor Epi-SiC

Semicorex Epi-SiC Susceptor o confluență a rezistenței la temperaturi înalte, inerției chimice și difuziei termice superioare, este un model de rezistență și eficiență în fața condițiilor intensive sinonime cu eforturile de creștere epitaxiale. Aplicarea unei acoperiri SiC mărește semnificativ atributele termice ale susceptorului Epi-SiC. Această îmbunătățire facilitează distribuția termică uniformă esențială pentru încălzirea plachetelor, esențială pentru depunerea de straturi epitaxiale consistente, de înaltă calitate, peste plachetele semiconductoare.

Conceput pentru a satisface cerințele exigente ale proceselor epitaxiale de napolitane, Susceptorul Epi-SiC sprijină transportul fără sudură al napolitanelor în mediul cuptorului. Designul său robust este un bastion împotriva deplasării sau compromisului plachetei, atenuând astfel incidența daunelor în etapele critice ale dezvoltării stratului epitaxial. În plus, Susceptorul Epi-SiC acționează ca o barieră de protecție pentru substratul de grafit de dedesubt, ferindu-l de interacțiunile chimice și abraziunea pe care procesele epitaxiale le-ar putea induce.

Fuziunea unui miez de grafit rezistent cu o acoperire de protecție SiC nu numai că întărește valorile de performanță ale Susceptorului Epi-SiC, ci și prelungește semnificativ durata de viață a acestuia. Rezultatul este o investiție care aduce dividende sub formă de economii operaționale susținute pentru întreprinderile de producție de semiconductori, poziționând Epi-SiC Susceptor ca o alegere judicioasă pentru cei care doresc să își optimizeze operațiunile de producție.