Cu densitatea sa excelentă și conductibilitatea termică, susceptorul de butoi acoperit cu SiC durabil Semicorex pentru LPE este alegerea ideală pentru utilizarea în procesele LPE și alte aplicații de fabricare a semiconductorilor. Acoperirea sa de înaltă puritate SiC oferă o protecție superioară și proprietăți de distribuție a căldurii, făcându-l alegerea ideală pentru rezultate fiabile și consistente.
Dacă aveți nevoie de un susceptor de grafit de înaltă calitate, cu rezistență superioară la căldură și la coroziune, nu căutați mai departe decât susceptorul de butoi acoperit cu SiC durabil Semicorex pentru LPE. Învelișul său cu carbură de siliciu oferă o conductivitate termică și o distribuție excepțională a căldurii, asigurând o performanță fiabilă și consecventă chiar și în cele mai solicitante medii cu temperaturi ridicate.
Susceptorul nostru durabil de butoi acoperit cu SiC pentru LPE este proiectat pentru a obține cel mai bun model de flux laminar de gaz, asigurând uniformitatea profilului termic. Acest lucru ajută la prevenirea oricărei contaminări sau difuzii de impurități, asigurând creșterea epitaxială de înaltă calitate pe cipul de napolitană.
Contactați-ne astăzi pentru a afla mai multe despre susceptitorul nostru durabil de butoi acoperit cu SiC pentru LPE.
Parametrii susceptitorului de butoi acoperit cu SiC durabil pentru LPE
Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC |
||
Proprietăți SiC-CVD |
||
Structură cristalină |
faza FCC ² |
|
Densitate |
g/cm³ |
3.21 |
Duritate |
Duritatea Vickers |
2500 |
Marimea unui bob |
μm |
2~10 |
Puritatea chimică |
% |
99.99995 |
Capacitatea termică |
J·kg-1·K-1 |
640 |
Temperatura de sublimare |
℃ |
2700 |
Forța felexurală |
MPa (RT 4 puncte) |
415 |
Modulul Young |
Gpa (îndoire 4 pt, 1300â) |
430 |
Expansiune termică (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivitate termică |
(W/mK) |
300 |
Caracteristici ale suportului de butoi acoperit cu SiC durabil pentru LPE
- Atât substratul de grafit, cât și stratul de carbură de siliciu au o densitate bună și pot juca un rol protector bun în medii de lucru cu temperaturi ridicate și corozive.
- Susceptorul acoperit cu carbură de siliciu utilizat pentru creșterea unui singur cristal are o planeitate foarte mare a suprafeței.
- Reduceți diferența de coeficient de dilatare termică dintre substratul de grafit și stratul de carbură de siliciu, îmbunătățiți în mod eficient rezistența de lipire pentru a preveni fisurarea și delaminarea.
- Atât substratul de grafit, cât și stratul de carbură de siliciu au o conductivitate termică ridicată și proprietăți excelente de distribuție a căldurii.
- Punct de topire ridicat, rezistență la oxidare la temperaturi ridicate, rezistență la coroziune.