Inele de pământ superioare acoperite cu CVD SiC

CVD SiCInelele superioare de masă acoperite sunt instalate de obicei în regiunea superioară a camerei de reacție în echipamentele de gravare cu plasmă, înconjurând mandrina electrostatică a plachetei. Inelele de masă superioare acoperite cu CVD SiC sunt vitale pentru întregul sistem de gravare, care poate acționa ca o barieră fizică pentru a proteja componentele dispozitivului de atacul cu plasmă și pentru a ajusta câmpul electric intern și a limita intervalul de distribuție a plasmei pentru a asigura rezultate uniforme de gravare.

Gravarea cu plasmă este o tehnologie de gravare uscată utilizată pe scară largă în fabricarea semiconductoarelor, care funcționează prin utilizarea interacțiunilor fizice și chimice dintre plasmă și suprafața materialelor semiconductoare pentru a îndepărta selectiv zone specifice, realizând astfel prelucrarea structurilor de precizie. În mediul solicitant al gravării cu plasmă, plasma de înaltă energie provoacă coroziune agresivă și atac asupra componentelor din interiorul camerei de reacție. Pentru a asigura o funcționare fiabilă și eficientă, componentele camerei trebuie să aibă o rezistență excelentă la coroziune, proprietăți mecanice și caracteristici scăzute de contaminare. Inelele de masă superioare acoperite cu Semicorex CVD SiC sunt perfect proiectate pentru a aborda aceste medii de operare dure, cu coroziune ridicată.

Acoperire de încredere CVD SiC

Pentru a funcționa mai bine în condițiile dure de gravare, inelele superioare acoperite cu Semicorex CVD SiC sunt acoperite cu o acoperire CVD SiC de înaltă performanță, care le îmbunătățește și mai mult performanța și durabilitatea.

1. Puritate ultra-înaltă

TheAcoperire SiCfabricat prin procesul CVD prezintă o densificare excelentă cu puritate ultra-înaltă (puritatea depășește 99,9999%), care poate preveni inelele superioare de pământ acoperite cu Semicorex CVD SiC de la atacul cu plasmă de mare energie în aplicațiile de gravare, evitând astfel contaminarea cauzată de particulele de impurități din matrice.

2. Rezistență îmbunătățită la coroziune

Acoperirea SiC fabricată prin procesul CVD oferă o rezistență îmbunătățită la coroziune, făcând inelele superioare de pământ acoperite cu Semicorex CVD SiC să reziste în mod eficient la coroziunea provocatoare din plasmă (în special gazele corozive, cum ar fi halogenii și fluorul).

3. Proprietăți mecanice îmbunătățite

Inelele superioare acoperite cu Semicorex CVD SiC pot suporta bombardamentul intens cu plasmă, stresul mecanic și manipularea frecventă fără deformare sau fractură în timpul serviciului pe termen lung, datorită durității sporite și rezistenței la uzură a acoperirii CVD SiC.

Procesare la standarde înalte și inspecție de calitate

Pentru a se adapta perfect la condițiile exigente de gravare a semiconductorilor, inelele superioare acoperite cu Semicorex CVD SiC sunt supuse unei prelucrari de precizie și a unei inspecții riguroase.

Tratamentul suprafeței: Precizia lustruirii este Ra < 0,1µm; Precizia de măcinare fină este Ra > 0,1 µm

Precizia procesării este controlată în ≤ 0,03 mm

Inspecție de calitate:

Inelele solide CVD SiC Semicorex sunt supuse analizei ICP-MS (spectrometrie de masă cu plasmă cuplată inductiv). Inelele solide CVD SiC Semicorex sunt supuse măsurătorilor dimensionale, testării de rezistivitate și inspecției vizuale, garantând că produsele nu prezintă așchii, zgârieturi, fisuri, pete și alte defecte.