Susceptor de butoi acoperit cu SiC CVD

Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor este o componentă meticulos concepută pentru procesele avansate de fabricare a semiconductorilor, în special epitaxie. Construit cu precizie și inovație, acest susceptor cu baril acoperit cu CVD SiC este proiectat pentru a facilita creșterea epitaxială a materialelor semiconductoare pe plachete cu o eficiență și fiabilitate de neegalat.

La CVD SiC Coated Barrel Susceptor se află o structură robustă din grafit, renumită pentru conductivitatea termică și rezistența mecanică excepționale. Această bază de grafit servește ca o bază solidă pentru susceptor, asigurând stabilitate și longevitate în condițiile solicitante ale reactoarelor epitaxiale.

Îmbunătățirea substratului de grafit este o acoperire de ultimă oră din carbură de siliciu (SiC) de depunere chimică în vapori (CVD). Această acoperire specializată SiC este aplicată meticulos printr-un proces de depunere chimică în vapori, rezultând un strat uniform și durabil care acoperă suprafața grafitului. Acoperirea CVD SiC a susceptorului CVD SiC Coated Barrel introduce o multitudine de avantaje critice pentru procesele epitaxiale.

Acoperirea CVD SiC a susceptorului CVD SiC Coated Barrel prezintă proprietăți termice excepționale, inclusiv conductivitate termică ridicată și stabilitate termică. Aceste proprietăți sunt esențiale în asigurarea încălzirii uniforme și precise a plachetelor semiconductoare în timpul creșterii epitaxiale, promovând astfel depunerea consistentă a stratului și minimizând defectele în produsul final.

Designul în formă de butoi al susceptorului cu acoperire CVD SiC este optimizat pentru încărcarea și descărcarea eficientă a plachetelor, precum și pentru o distribuție optimă a căldurii pe suprafața plachetei. Această caracteristică de design, cuplată cu performanța superioară a acoperirii CVD SiC, garantează un control fără egal al procesului și un randament în operațiunile de fabricație epitaxiale.