Susceptor planetar ALD

Susceptorul planetar Semicorex ALD este important în echipamentele ALD datorită capacității lor de a rezista la condiții dure de procesare, asigurând depunerea filmului de înaltă calitate pentru o varietate de aplicații. Pe măsură ce cererea pentru dispozitive semiconductoare avansate cu dimensiuni mai mici și performanțe îmbunătățite continuă să crească, se așteaptă să se extindă în continuare utilizarea susceptorului planetar ALD în ALD.**

Trimite o anchetă

Descriere produs

Aplicatii:

Depunere dielectrică de înaltă k: Susceptorul planetar ALD prezintă o rezistență excelentă la precursorii agresivi utilizați la depunerea materialelor dielectrice cu grad ridicat de k, cum ar fi oxidul de hafniu (HfO2) și oxidul de aluminiu (Al2O3). Acest lucru face ca susceptorul planetar ALD să fie potrivit pentru fabricarea tranzistoarelor de înaltă performanță pentru aplicații de logică și memorie.

Straturi de metalizare: Stabilitatea la temperatură ridicată a susceptorului planetar ALD permite depunerea straturilor de metalizare la temperaturi ridicate, ceea ce duce la proprietăți îmbunătățite ale filmului, cum ar fi rezistivitate mai mică și densitate mai mare. Acest lucru este crucial pentru crearea de interconexiuni eficiente în dispozitivele semiconductoare avansate.

Fabricarea dispozitivelor optoelectronice:Natura inertă a susceptorului planetar ALD minimizează reacțiile nedorite cu precursorii utilizați la depunerea materialelor sensibile precum semiconductorii III-V, făcând din susceptor planetar ALD o potrivire perfectă pentru fabricarea de LED-uri, lasere și alte componente optoelectronice.

Ciclul ALD

Depunerea stratului atomic (ALD)oferă câteva avantaje cheie față de alte tehnici de depunere a filmului subțire, făcându-l din ce în ce mai popular pentru diverse aplicații, în special în microelectronică și nanotehnologie.

Iată câteva dintre avantajele cheie ale ALD:

1. Controlul grosimii la nivel de Angstrom:

ALD permite controlul precis al grosimii filmului până la nivelul angstrom (0,1 nanometri). Acest nivel de precizie este atins prin reacțiile sale de suprafață autolimitante, în care fiecare ciclu depune un singur strat atomic.

2. Uniformitate și conformitate excelente:

ALD prezintă o uniformitate excepțională pe suprafețe mari și structuri 3D complexe, inclusiv caracteristici cu raport de aspect ridicat, cum ar fi șanțuri și canale. Acest lucru este crucial pentru aplicațiile care necesită acoperiri uniforme pe geometrii complicate, cum ar fi dispozitivele semiconductoare.

3. Temperatură scăzută de depunere:

ALD poate fi realizată la temperaturi relativ scăzute (adesea sub 300°C) în comparație cu alte tehnici de depunere. Acest lucru este avantajos pentru substraturi sensibile la căldură și permite utilizarea unei game mai largi de materiale.

4. Filme de înaltă calitate:

ALD produce de obicei filme cu densitate excelentă, niveluri scăzute de impurități și uniformitate ridicată în compoziție și grosime. Aceste caracteristici sunt esențiale pentru obținerea performanțelor optime în diverse aplicații.

5. Selecție largă de materiale:

ALD oferă o gamă largă de materiale care pot fi depuse, inclusiv oxizi, nitruri, metale și sulfuri. Această versatilitate îl face potrivit pentru o gamă largă de aplicații.

6. Scalabilitate și aplicabilitate industrială:

Tehnologia ALD este foarte scalabilă și poate fi integrată cu ușurință în procesele de producție existente. Este compatibil cu diferite dimensiuni și forme de substrat, ceea ce îl face potrivit pentru producția de volum mare.