Inel de top Epi de 8 inci

Inelul superior EPI de 8 inci EPI este o componentă specializată a sistemelor de depunere epitaxiale (EPI) care oferă performanțe ridicate ca inel de acoperire superior de pe camera de reacție. Cu accent pe integritatea structurală și stabilitatea termică în timpul creșterii epitaxiale a napolitanelor cu semiconductor, inelul superior EPI este realizat din grafit de înaltă puritate și acoperit cu carbură de siliciu (SIC) pentru a rezista la temperatura și medii reactive chimic ale fabricării semiconductorilor.

În reactoarele epitaxiale, inelul superior ajută la păstrarea mediului wafer și joacă un rol important în uniformitatea temperaturii și fluxul de gaz în timpul depunerii ca parte a ansamblului susceptor. Acoperirea SIC de pe substratul de grafit oferă inelului de sus EPI cu stabilitatea termică și mediul inert necesar pentru a proteja miezul de grafit din cauza expunerii la gazele proceselor în timpul performanței inelului de sus EPI (hidrogen, silan, clorosilane, etc.). Duritatea și conductivitatea stratului SIC îmbunătățesc performanța inelului superior EPI prin prevenirea degradării și permițând straturi mai stabile pe tot parcursul ciclului de producție.

Cu un angajament pentru precizia dimensională, consistența de acoperire și repetabilitatea, inelul superior EPI de 8 inci este fabricat cu inginerie de precizie. Substratul de grafit este prelucrat la toleranțe strânse și purificat termic pentru a separa impuritățile, oferind un substrat curat cu puritate și rezistență excelentă. Acoperirea SIC este aplicată prin depunerea de vapori chimici (CVD), pentru a forma un strat de protecție dens, consistent și puternic legat. Acest proces minimizează generarea de particule și permite acoperirii să mențină integritatea suprafeței în timpul utilizării extinse.

Producătorii de semiconductori se bazează pe inelul superior EPI pentru a menține parametrii critici ai camerei și pentru a sprijini napolitane fără defecte în timpul producției. Configurația este proiectată pentru a fi utilizată cu sisteme de prelucrare a wafer-ului OEM de 8 inci. Opțiunile personalizate sunt disponibile pentru grosime, finisare de suprafață și proiecte canelate pentru o mai bună gestionare termică sau chiar o distribuție a gazelor.

Conformitatea proprietăților grafitului acoperit SIC pentru această aplicație necesită combinație cele mai bune proprietăți din ambele materiale; Grafitul este foarte mașinabil și are o rezistență termică de șoc combinată cu carbură de siliciu, care este mai grea, rezistentă la coroziune și are o durată de viață mai lungă. Această combinație vă oferă în cele din urmă un inel de top EPI, care este fiabil la temperaturi ridicate și garantează un mediu de procesare curat și stabil, care reduce intervalele de întreținere și oferă un timp de funcționare îmbunătățit în general.

Componentele de grafit joacă un rol indispensabil și crucial în fabricarea semiconductorilor. Calitatea materialului de grafit afectează semnificativ calitatea produsului finit. Consistența noastră de lot de grafit și omogenitatea materială sunt controlate și garantate pe parcursul procesului de producție.

1. Producția de loturi mici, folosind un mic cuptor de carbonizare cu o capacitate de doar 50 de metri cubi.

2. Fiecare material este monitorizat și urmărit.

3. Monitorizarea temperaturii în mai multe puncte din cuptor asigură diferențe minime de temperatură.

4. Monitorizarea temperaturii în mai multe puncte de pe material asigură diferențe minime de temperatură.

Inelul de top EPI de 8 inci de Semicorex oferă performanțe excepționale, consistență de la lot la lot și fiabilitate dovedită în cele mai dificile semiconductori siliciu, carbură de siliciu sau alte procese de epitaxie semiconductoare compuse. La fiecare etapă de fabricație, producem produse cu control de calitate, ceea ce înseamnă că fiecare produs achiziționat pentru industria semiconductorilor depășește specificațiile de calitate.

Selectați inelul de top Epi Epi de 8 inci pentru aplicația dvs. de epitaxie pentru a profita de posibilitățile oferite prin intermediul ingineriei de precizie, materiale superioare și personalizare specifică aplicației pentru îmbunătățirea randamentelor și a performanței dispozitivului.