Suport pentru napolitană de 6 inchi pentru Aixtron G5

Semicorex 6'' Wafer Carrier pentru Aixtron G5, denumit adesea susceptori, joacă un rol esențial prin ținerea în siguranță a plachetelor semiconductoare în timpul procesării la temperatură înaltă. Susceptorii asigură că plachetele rămân într-o poziție fixă, ceea ce este crucial pentru depunerea uniformă a stratului:

Management termic:

Purtătorul de plachete de 6 inchi pentru Aixtron G5 este proiectat pentru a oferi încălzire și răcire uniformă pe suprafața plachetei, ceea ce este esențial pentru procesele de creștere epitaxiale utilizate pentru a crea straturi de semiconductori de înaltă calitate.

Creștere epitaxială:

Straturi SiC și GaN:

Platforma Aixtron G5 este utilizată în principal pentru creșterea epitaxială a straturilor de SiC și GaN. Aceste straturi sunt fundamentale în fabricarea tranzistorilor cu mobilitate ridicată a electronilor (HEMT), LED-uri și alte dispozitive semiconductoare avansate.

Precizie și uniformitate:

Precizia ridicată și uniformitatea cerute în procesul de creștere epitaxială sunt facilitate de proprietățile excepționale ale suportului Wafer de 6'' pentru Aixtron G5. Purtătorul ajută la obținerea grosimii stricte și uniformității compoziției necesare pentru dispozitivele semiconductoare de înaltă performanță.

Beneficii:

Stabilitate la temperaturi ridicate:

Toleranță extremă la temperatură:

Suportul pentru napolitană de 6 inchi pentru Aixtron G5 poate rezista la temperaturi extrem de ridicate, depășind adesea 1600°C. Această stabilitate este crucială pentru procesele epitaxiale care necesită temperaturi ridicate susținute pentru perioade lungi.

Integritate termică:

Capacitatea Wafer Carrier de 6'' pentru Aixtron G5 de a menține integritatea structurală la temperaturi atât de ridicate asigură performanțe consistente și reduce riscul de degradare termică, care ar putea compromite calitatea straturilor semiconductoare.

Conductivitate termică excelentă:

Distribuția căldurii:

Conductivitatea termică ridicată a SiC facilitează transferul eficient de căldură pe suprafața plachetei, asigurând un profil uniform de temperatură. Această uniformitate este vitală pentru evitarea gradienților termici care pot duce la defecte și neuniformități în straturile epitaxiale.

Control îmbunătățit al procesului:

Managementul termic îmbunătățit permite un control mai bun asupra procesului de creștere epitaxială, permițând producerea de straturi semiconductoare de calitate superioară, cu mai puține defecte.

Rezistenta chimica:

Compatibilitate cu mediul coroziv:

Suportul pentru napolitană de 6 inchi pentru Aixtron G5 oferă o rezistență excepțională la gazele corozive utilizate în mod obișnuit în procesele CVD, cum ar fi hidrogenul și amoniacul. Această rezistență prelungește durata de viață a suporturilor de plachetă prin protejarea substratului de grafit de atacul chimic.

Costuri reduse de întreținere:

Durabilitatea suportului Wafer de 6 inchi pentru Aixtron G5 reduce frecvența întreținerii și înlocuirilor, ceea ce duce la costuri operaționale mai mici și la creșterea timpului de funcționare pentru echipamentele Aixtron G5.

Coeficient scăzut de dilatare termică (CTE):

Stresul termic minimizat:

CTE scăzut al SiC ajută la minimizarea stresului termic în timpul ciclurilor rapide de încălzire și răcire inerente proceselor de creștere epitaxiale. Această reducere a tensiunii termice scade probabilitatea de fisurare sau deformare a plachetelor, ceea ce poate duce la defectarea dispozitivului.

Compatibilitate cu echipamentele Aixtron G5:

Design personalizat:

Semicorex 6'' Wafer Carrier pentru Aixtron G5 este proiectat special pentru a fi compatibil cu echipamentele Aixtron G5, asigurând performanță optimă și integrare perfectă.

Performanță maximizată:

Această compatibilitate maximizează performanța și eficiența sistemului Aixtron G5, permițându-i să îndeplinească cerințele exigente ale proceselor moderne de fabricare a semiconductorilor.