Acasă > Produse > Acoperit cu carbură de siliciu > Acceptor MOCVD > Susceptori pentru reactoare MOCVD
Susceptori pentru reactoare MOCVD

Susceptori pentru reactoare MOCVD

Susceptorii Semicorex pentru reactoare MOCVD sunt produse de înaltă calitate utilizate în industria semiconductoarelor pentru diverse aplicații, cum ar fi straturi de carbură de siliciu și semiconductori de epitaxie. Produsul nostru este disponibil sub formă de angrenaj sau inel și este conceput pentru a obține rezistență la oxidare la temperaturi înalte, făcându-l stabil la temperaturi de până la 1600°C.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Susceptorii noștri pentru reactoare MOCVD sunt fabricați prin depunere de vapori chimici CVD în condiții de clorinare la temperatură înaltă, asigurând o puritate ridicată. Suprafața produsului este densă, cu particule fine și duritate ridicată, ceea ce îl face rezistent la coroziune la acizi, alcali, sare și reactivi organici.
Susceptorii noștri pentru reactoare MOCVD sunt proiectați pentru a asigura acoperirea pe toate suprafețele, evitând decojirea și obținând cel mai bun model de flux laminar de gaz. Produsul garantează uniformitatea profilului termic și previne orice contaminare sau difuzia impurităților în timpul procesului, asigurând rezultate de înaltă calitate.
La Semicorex, acordăm prioritate satisfacției clienților și oferim soluții rentabile. Așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung, oferind produse de înaltă calitate și servicii excepționale pentru clienți.


Parametrii Susceptorilor pentru Reactoarele MOCVD

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC

Proprietăți SiC-CVD

Structura de cristal

faza FCC β

Densitate

g/cm³

3.21

Duritate

Duritatea Vickers

2500

Dimensiunea boabelor

μm

2~10

Puritatea chimică

%

99.99995

Capacitatea termică

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimare

2700

Forța felexurală

MPa (RT în 4 puncte)

415

Modulul tinerilor

Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃)

430

Expansiune termică (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivitate termică

(W/mK)

300


Caracteristici ale susceptorului de grafit acoperit cu SiC pentru MOCVD

- Evitați decojirea și asigurați acoperirea pe toată suprafața
Rezistență la oxidare la temperaturi ridicate: stabil la temperaturi ridicate de până la 1600°C
Puritate ridicată: realizat prin depunere chimică de vapori CVD în condiții de clorinare la temperatură înaltă.
Rezistență la coroziune: duritate mare, suprafață densă și particule fine.
Rezistență la coroziune: acid, alcali, sare și reactivi organici.
- Obțineți cel mai bun model de flux laminar de gaz
- Garantează uniformitatea profilului termic
- Preveniți orice contaminare sau difuzia impurităților




Hot Tags: Susceptori pentru reactoare MOCVD, China, Producători, Furnizori, Fabrică, Personalizat, Vrac, Avansat, Durabil
Categorie aferentă
Trimite o anchetă
Vă rugăm să nu ezitați să trimiteți întrebarea dvs. în formularul de mai jos. Vă vom răspunde în 24 de ore.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept