Susceptori de epitaxie de siliciu

Puteți fi sigur că cumpărați susceptori de epitaxie din silicon din fabrica noastră. Susceptorul de epitaxie din silicon de la Semicorex este un produs de înaltă calitate, de înaltă puritate, utilizat în industria semiconductoarelor pentru creșterea epitaxială a cipului wafer. Produsul nostru are o tehnologie superioară de acoperire care asigură că stratul este prezent pe toate suprafețele, prevenind decojirea. Produsul este stabil la temperaturi ridicate de până la 1600°C, ceea ce îl face potrivit pentru utilizare în medii extreme.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Susceptorii noștri de epitaxie de siliciu sunt fabricați prin depunere de vapori chimici CVD în condiții de clorinare la temperatură înaltă, asigurând o puritate ridicată. Suprafața produsului este densă, cu particule fine și duritate ridicată, ceea ce îl face rezistent la coroziune la acizi, alcali, sare și reactivi organici.
Produsul nostru este conceput pentru a obține cel mai bun model de flux laminar de gaz, garantând uniformitatea profilului termic. Susceptorii noștri de epitaxie din siliciu previn orice contaminare sau difuzie de impurități în timpul procesului de creștere epitaxială, asigurând rezultate de înaltă calitate.
La Semicorex, ne concentrăm pe furnizarea de produse de înaltă calitate, rentabile clienților noștri. Susceptorii noștri de epitaxie din siliciu au un avantaj de preț și sunt exportați pe multe piețe europene și americane. Ne propunem să fim partenerul dumneavoastră pe termen lung, oferind produse de calitate consistentă și servicii excepționale pentru clienți.

Parametrii susceptorilor de epitaxie de siliciu

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC
Proprietăți SiC-CVD
Structura de cristal	faza FCC β
Densitate	g/cm³	3.21
Duritate	Duritatea Vickers	2500
Dimensiunea boabelor	μm	2~10
Puritatea chimică	%	99.99995
Capacitatea termică	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimare	℃	2700
Forța felexurală	MPa (RT în 4 puncte)	415
Modulul tinerilor	Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃)	430
Expansiune termică (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivitate termică	(W/mK)	300

Parametrii susceptorilor de epitaxie de siliciu

- Evitați decojirea și asigurați acoperirea pe toată suprafața
Rezistență la oxidare la temperaturi ridicate: stabil la temperaturi ridicate de până la 1600°C
Puritate ridicată: realizat prin depunere chimică de vapori CVD în condiții de clorinare la temperatură ridicată.
Rezistență la coroziune: duritate mare, suprafață densă și particule fine.
Rezistență la coroziune: acid, alcali, sare și reactivi organici.
- Obțineți cel mai bun model de flux laminar de gaz
- Garantează uniformitatea profilului termic
- Preveniți orice contaminare sau difuzia impurităților