Acoperirea SiC este un strat subțire pe susceptor prin procesul de depunere chimică în vapori (CVD). Materialul cu carbură de siliciu oferă o serie de avantaje față de siliciu, inclusiv de 10 ori puterea câmpului electric de defalcare, de 3 ori banda interzisă, care oferă materialului rezistență la temperatură ridicată și chimică, rezistență excelentă la uzură, precum și conductivitate termică.
Semicorex oferă servicii personalizate, vă ajută să inovezi cu componente care durează mai mult, reduc timpii de ciclu și îmbunătățesc randamentele.
Acoperirea SiC are mai multe avantaje unice
Rezistență la temperaturi ridicate: susceptorul acoperit cu CVD SiC poate rezista la temperaturi ridicate de până la 1600°C fără a suferi o degradare termică semnificativă.
Rezistență chimică: Acoperirea cu carbură de siliciu oferă o rezistență excelentă la o gamă largă de substanțe chimice, inclusiv acizi, alcalii și solvenți organici.
Rezistență la uzură: Acoperirea SiC oferă materialului o rezistență excelentă la uzură, făcându-l potrivit pentru aplicații care implică uzură mare.
Conductivitate termică: Acoperirea CVD SiC oferă materialului o conductivitate termică ridicată, făcându-l potrivit pentru utilizare în aplicații la temperatură înaltă care necesită un transfer eficient de căldură.
Rezistență și rigiditate ridicate: Susceptorul acoperit cu carbură de siliciu oferă materialului rezistență și rigiditate ridicate, făcându-l potrivit pentru aplicații care necesită rezistență mecanică ridicată.
Acoperirea SiC este utilizată în diverse aplicații
Producția de LED-uri: Susceptorul acoperit cu CVD SiC este utilizat în producția de diferite tipuri de LED-uri, inclusiv LED-uri albastre și verzi, LED-uri UV și LED-uri UV adânci, datorită conductivității sale termice ridicate și rezistenței chimice.
Comunicație mobilă: susceptorul acoperit cu CVD SiC este o parte crucială a HEMT pentru a finaliza procesul epitaxial GaN-on-SiC.
Procesarea semiconductoarelor: susceptorul acoperit cu CVD SiC este utilizat în industria semiconductoarelor pentru diverse aplicații, inclusiv procesarea plachetelor și creșterea epitaxială.
Componente din grafit acoperite cu SiC
Fabricat din grafit de acoperire cu carbură de siliciu (SiC), acoperirea este aplicată printr-o metodă CVD pe grade specifice de grafit de înaltă densitate, astfel încât să poată funcționa în cuptorul de înaltă temperatură cu peste 3000 °C într-o atmosferă inertă, 2200 °C în vid. .
Proprietățile speciale și masa redusă a materialului permit viteze rapide de încălzire, distribuție uniformă a temperaturii și o precizie remarcabilă în control.
Datele materiale ale Semicorex SiC Coating
Proprietăți tipice |
Unități |
Valori |
Structura |
|
faza FCC β |
Orientare |
Fracție (%) |
111 preferat |
Densitate în vrac |
g/cm³ |
3.21 |
Duritate |
Duritatea Vickers |
2500 |
Capacitate termică |
J kg-1 K-1 |
640 |
Expansiune termică 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Modulul tinerilor |
Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃) |
430 |
Dimensiunea boabelor |
μm |
2~10 |
Temperatura de sublimare |
℃ |
2700 |
Forța felexurală |
MPa (RT în 4 puncte) |
415 |
Conductivitate termică |
(W/mK) |
300 |
Concluzie Susceptorul acoperit cu CVD SiC este un material compozit care combină proprietățile unui susceptor și ale carburii de siliciu. Acest material posedă proprietăți unice, inclusiv rezistență la temperaturi ridicate și chimice, rezistență excelentă la uzură, conductivitate termică ridicată și rezistență și rigiditate ridicate. Aceste proprietăți îl fac un material atractiv pentru diverse aplicații la temperaturi ridicate, inclusiv procesarea semiconductoarelor, procesarea chimică, tratamentul termic, fabricarea celulelor solare și fabricarea LED-urilor.
Semicorex Susceptor Plate este o componentă crucială în procesul de creștere epitaxială, special concepută pentru a transporta plachete semiconductoare în timpul depunerii peliculelor subțiri sau straturilor. Semicorex se angajează să ofere produse de calitate la prețuri competitive, așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.
Citeşte mai multTrimite o anchetăSemicorex Susceptor with Grid este o componentă specializată utilizată în procesul de creștere epitaxială a plăcilor semiconductoare. Semicorex se angajează să ofere produse de calitate la prețuri competitive, așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.
Citeşte mai multTrimite o anchetăDeblocați întregul potențial al proceselor dumneavoastră epitaxiale semiconductoare cu Semicorex Ring Set – o componentă crucială realizată din grafit acoperit cu SiC. Conceput pentru a crește eficiența și fiabilitatea creșterii epitaxiale, acest accesoriu mic, dar puternic, joacă un rol cheie în asigurarea performanței optime în mediile de producție de semiconductori.
Citeşte mai multTrimite o anchetăÎmbunătățiți eficiența și precizia proceselor dumneavoastră epitaxiale cu semiconductori cu inelul Epi Pre Heat de ultimă oră Semicorex. Fabricat cu precizie din grafit acoperit cu SiC, acest inel avansat joacă un rol esențial în optimizarea creșterii epitaxiale prin preîncălzirea gazelor din proces înainte ca acestea să intre în cameră.
Citeşte mai multTrimite o anchetăSemicorex SiC Parts Abdeck Segmenten, o componentă crucială în fabricarea dispozitivelor semiconductoare care redefinește precizia și durabilitatea. Fabricate din grafit acoperit cu SiC, aceste piese mici, dar esențiale, joacă un rol esențial în avansarea procesării semiconductoarelor la noi niveluri de eficiență și fiabilitate.
Citeşte mai multTrimite o anchetăSemicorex Planetary Disk, susceptor sau purtător de placă de grafit acoperit cu carbură de siliciu conceput pentru procesele de epitaxie cu fascicul molecular (MBE) în cuptoarele de depunere în vapori metalo-organici (MOCVD). Semicorex se angajează să ofere produse de calitate la prețuri competitive, așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.
Citeşte mai multTrimite o anchetă