Acasă > Produse > Acoperit cu carbură de siliciu > Susceptor MOCVD > Purtători de plăci acoperite cu SiC pentru MOCVD
Purtători de plăci acoperite cu SiC pentru MOCVD

Purtători de plăci acoperite cu SiC pentru MOCVD

Semicorex SiC Coated Plate Carriers pentru MOCVD este un suport de înaltă calitate conceput pentru a fi utilizat în procesul de fabricație a semiconductorilor. Puritatea sa ridicată, rezistența excelentă la coroziune și chiar profilul termic îl fac o alegere excelentă pentru cei care caută un suport care să reziste cerințelor procesului de fabricație a semiconductorilor.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Suporturile noastre de plăci acoperite cu SiC pentru MOCVD prezintă o puritate ridicată, ceea ce îl face o alegere excelentă pentru cei care caută un suport care este extrem de uniform și consistent în proprietățile sale.
Suporturile noastre de plăci acoperite cu SiC pentru MOCVD realizate cu un strat de carbură de siliciu de înaltă puritate pe grafit, ceea ce îl face foarte rezistent la oxidare la temperaturi ridicate de până la 1600°C. Procesul de depunere chimică în vapori CVD utilizat în fabricarea acestuia asigură o puritate ridicată și o rezistență excelentă la coroziune. Este foarte rezistent la coroziune, cu o suprafață densă și particule fine, ceea ce îl face rezistent la acizi, alcali, sare și reactivi organici. Rezistența sa la oxidare la temperaturi înalte asigură stabilitate la temperaturi ridicate de până la 1600°C.


Parametrii purtătorilor de plăci acoperite cu SiC pentru MOCVD

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC

Proprietăți SiC-CVD

Structură cristalină

faza FCC ²

Densitate

g/cm³

3.21

Duritate

Duritatea Vickers

2500

Marimea unui bob

μm

2~10

Puritatea chimică

%

99.99995

Capacitatea termică

J·kg-1·K-1

640

Temperatura de sublimare

2700

Forța felexurală

MPa (RT 4 puncte)

415

Modulul Young

Gpa (îndoire 4 pt, 1300â)

430

Expansiune termică (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivitate termică

(W/mK)

300


Caracteristici ale susceptorului de grafit acoperit cu SiC pentru MOCVD

- Evitați decojirea și asigurați acoperirea pe toată suprafața
Rezistență la oxidare la temperaturi ridicate: stabil la temperaturi ridicate de până la 1600°C
Puritate ridicată: realizat prin depunere chimică de vapori CVD în condiții de clorinare la temperatură ridicată.
Rezistență la coroziune: duritate mare, suprafață densă și particule fine.
Rezistență la coroziune: acid, alcali, sare și reactivi organici.
- Obțineți cel mai bun model de flux laminar de gaz
- Garantează uniformitatea profilului termic
- Preveniți orice contaminare sau difuzia impurităților




Hot Tags: Purtători de plăci acoperite cu SiC pentru MOCVD, China, producători, furnizori, fabrică, personalizate, vrac, avansate, durabile

Categorie aferentă

Trimite o anchetă

Vă rugăm să nu ezitați să trimiteți întrebarea dvs. în formularul de mai jos. Vă vom răspunde în 24 de ore.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept