> Produse

Produse

Produse noi

View as

Receptor de disc SiC

Semicorex introduce susceptorul său de disc SiC, conceput pentru a crește performanța echipamentelor de epitaxie, depunere de vapori chimici metalo-organici (MOCVD) și procesare termică rapidă (RTP). Susceptorul de disc SiC, proiectat meticulos, oferă proprietăți care garantează performanțe superioare, durabilitate și eficiență în medii cu temperaturi ridicate și vid.**

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Câmpul termic de grafit

Semicorex Graphite Thermal Field combină știința materialelor de ultimă oră cu o înțelegere profundă a proceselor de creștere a cristalelor, oferă o soluție inovatoare care dă putere industriei semiconductoarelor să atingă noi niveluri de performanță, eficiență și rentabilitate.**

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

LPE SiC-Epi Halfmoon

Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon este un activ indispensabil în lumea epitaxiei, oferind o soluție robustă la provocările generate de temperaturile ridicate, gazele reactive și cerințele stricte de puritate.**

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Capac de acoperire CVD TaC

Semicorex CVD TaC Coating Cover a devenit o tehnologie de permitere critică în mediile solicitante din reactoarele de epitaxie, caracterizate prin temperaturi ridicate, gaze reactive și cerințe stricte de puritate, necesită materiale robuste pentru a asigura creșterea constantă a cristalelor și pentru a preveni reacțiile nedorite.**

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Unelte de tragere din siliciu unic din grafit

Uneltele de tragere cu un singur siliciu Semicorex Graphite apar ca eroi necunoscuți în creuzetul de foc al cuptoarelor de creștere a cristalelor, unde temperaturile cresc și precizia domnește suprem. Proprietățile lor remarcabile, perfecționate prin producție inovatoare, le fac esențiale pentru a asigura existența unui siliciu monocristal impecabil.**

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

Inel de ghidare a acoperirii TaC

Inelul de ghidare a acoperirii Semicorex TaC servește ca o parte esențială în echipamentele de depunere în vapori chimici metalo-organici (MOCVD), asigurând livrarea precisă și stabilă a gazelor precursoare în timpul procesului de creștere epitaxială. Inelul de ghidare a acoperirii TaC reprezintă o serie de proprietăți care îl fac ideal pentru a rezista la condițiile extreme din camera reactorului MOCVD.**

Citeşte mai mult Trimite o anchetă

<...78 79 80 81 82...144 >