Inel de ghidare a acoperirii TaC

Funcția deInel de ghidare a acoperirii TaC:

Control precis al debitului de gaz:Inelul de ghidare a acoperirii TaC este poziționat strategic în sistemul de injecție de gaz al reactorului MOCVD. funcția sa principală este de a direcționa fluxul de gaze precursoare și de a asigura distribuția lor uniformă pe suprafața plachetei substratului. Acest control precis asupra dinamicii fluxului de gaz este esențial pentru obținerea unei creșteri uniforme a stratului epitaxial și a proprietăților dorite ale materialului.

Management termic:Inelul de ghidare a acoperirii TaC funcționează adesea la temperaturi ridicate datorită apropierii lor de susceptorul încălzit și de substrat. Conductivitatea termică excelentă a TaC ajută la disiparea eficientă a căldurii, prevenind supraîncălzirea localizată și menținând un profil stabil de temperatură în zona de reacție.

Avantajele TaC în MOCVD:

Rezistență la temperaturi extreme:TaC se mândrește cu unul dintre cele mai înalte puncte de topire dintre toate materialele, depășind 3800°C. 

Inerție chimică remarcabilă:TaC prezintă o rezistență excepțională la coroziune și atacul chimic de la gazele precursoare reactive utilizate în MOCVD, cum ar fi amoniacul, silanul și diverși compuși metalo-organici.

Rezistența la coroziune Comparația TaC și SiC

Expansiune termică scăzută:Coeficientul scăzut de dilatare termică al TaC minimizează modificările dimensionale datorate fluctuațiilor de temperatură în timpul procesului MOCVD. 

Rezistență ridicată la uzură:Duritatea și durabilitatea TaC oferă o rezistență excelentă la uzură din cauza fluxului constant de gaze și a potențialelor particule în sistem MOCVD. 

Beneficii pentru performanța MOCVD:

Utilizarea inelului de ghidare a acoperirii Semicorex TaC în echipamentele MOCVD contribuie în mod semnificativ la:

Uniformitate îmbunătățită a stratului epitaxial:Controlul precis al fluxului de gaz facilitat de inelul de ghidare a acoperirii TaC asigură o distribuție uniformă a precursorului, rezultând o creștere uniformă a stratului epitaxial, cu o grosime și o compoziție consistente.

Stabilitate îmbunătățită a procesului:Stabilitatea termică și inerția chimică a TaC contribuie la un mediu de reacție mai stabil și controlat în camera MOCVD, minimizând variațiile procesului și îmbunătățind reproductibilitatea.

Timp de funcționare crescut al echipamentului:Durabilitatea și durata de viață extinsă a inelului de ghidare a acoperirii TaC reduc nevoia de înlocuiri frecvente, minimizând timpul de întreținere și maximizând eficiența operațională a sistemului MOCVD.