Inele exterioare Poly-Si pentru gravare

De obicei poziționat în jurulcap de duș, Inelul exterior Poly-Si acționează ca piesă de legătură între inelul de evacuare și capul de duș. Lucrează în cooperare cumandrina electrostatica, capul de duș Si, inelul de focalizare Si, inelul de evacuare Si și inelul de ecranare Si, creând un mediu de proces stabil și de încredere pentru operarea de gravare de înaltă precizie.

Avantajele inelelor exterioare Semicorex poly-Si pentru gravare

Inelele exterioare Semicorex poly-Si pentru gravare sunt fabricate cu precizie din polisiliciu de înaltă calitate, oferind următoarele performanțe excelente de proprietate.

1. Curățenie ridicată și conținut scăzut de particule

2. Rezistență superioară la temperatură ridicată și rezistență ridicată la șocuri termice

3. Rezistență la coroziune de încredere

4.Performanță electrică excepțională și uniformitate ridicată a conductibilității electrice

Funcțiile inelelor exterioare Semicorex poly-Si pentru gravare

1. Performanță stabilă de împământare

Folosite pentru împământarea și protecția electrodului, inelele exterioare Semicorex poly-Si pentru gravare sunt capabile să evite acumularea statică, precum și deteriorarea arcului și să asigure funcționarea stabilă a sistemului de electrozi, îndeplinind perfect cerințele procesului pentru fabricarea avansată 3D NAND.

2. Suport de încredere

Inelele exterioare Semicorex poly-Si pentru gravare servesc drept componente esențiale care conectează inelul de evacuare și capul de duș. Ele oferă suport mecanic fiabil ambelor părți și le mențin poziționate în mod constant în locul potrivit. În plus, utilizarea inelelor exterioare Semicorex poly-Si pentru gravare poate preveni eroziunea cu plasmă pe camera de gravare, ceea ce asigură astfel eficient executarea stabilă a operațiunii de gravare.

3. Compatibilitate cu procesul de gravare

Inelele exterioare Semicorex poly-Si pentru gravare au un conținut scăzut de impurități și o rezistență excepțională la coroziune, oferind o compatibilitate excelentă cu fabricarea plachetelor de siliciu, ceea ce reduce foarte mult defectele plachetelor cauzate de contaminarea produsului secundar gravat și asigură în mod semnificativ o rată de randament ridicată în producția de semiconductori.