Carbura de siliciu (SiC) este un material care posedă o energie mare de legătură, similară cu alte materiale dure, cum ar fi diamantul și nitrura cubică de bor. Cu toate acestea, energia mare de legătură a SiC face dificilă cristalizarea direct în lingouri prin metodele tradiționale de topire. Prin ......
Citeşte mai multMaterialele semiconductoare pot fi împărțite în trei generații în funcție de secvența de timp. Prima generație de germaniu, siliciu și alte monomateriale comune, care se caracterizează prin comutare convenabilă, utilizată în general în circuitele integrate. A doua generație de arseniură de galiu, fo......
Citeşte mai multPe măsură ce lumea caută noi oportunități în semiconductori, nitrura de galiu continuă să iasă în evidență ca un potențial candidat pentru viitoarele aplicații de putere și RF. Cu toate acestea, pentru toate beneficiile pe care le oferă, se confruntă în continuare cu o provocare majoră; nu există pr......
Citeşte mai multOxidul de galiu (Ga2O3) a apărut ca un material promițător pentru diverse aplicații, în special în dispozitivele de putere și dispozitivele de radiofrecvență (RF). În acest articol, explorăm oportunitățile cheie și piețele țintă pentru oxidul de galiu în aceste domenii.
Citeşte mai multOxidul de galiu (Ga2O3) ca material „semiconductor cu bandă interzisă ultra-largă” a atras atenție susținută. Semiconductori cu bandgap ultra-largă se încadrează în categoria „semiconductorilor de a patra generație” și, în comparație cu semiconductorii de a treia generație, cum ar fi carbura de sili......
Citeşte mai multGrafitizarea este procesul de transformare a cărbunelui negrafitic în cărbune grafitic cu structură tridimensională ordonată regulată de grafit prin tratament termic la temperatură înaltă, utilizând pe deplin căldura de rezistență electrică pentru a încălzi materialul cărbunelui la 2300 ~ 3000 ℃ și ......
Citeşte mai mult