- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Știri de companie
Prima companie de industrializare a substratului de oxid de galiu de 6 inci
Recent, compania noastră a anunțat că a dezvoltat cu succes un monocristal de oxid de galiu de 6 inchi folosind metoda de turnare, devenind prima companie industrializată autohtonă care stăpânește tehnologia de pregătire a substratului monocristal de oxid de galiu de 6 inci.
Citeşte mai mult
Material de izolare a câmpului termic
Procesul de creștere a siliciului monocristalin are loc predominant într-un câmp termic, unde calitatea mediului termic are un impact semnificativ asupra calității cristalului și eficienței creșterii. Proiectarea câmpului termic joacă un rol esențial în modelarea gradienților de temperatură și a din......
Citeşte mai mult
Care sunt provocările producției de substrat cu carbură de siliciu?
Carbura de siliciu (SiC) este un material care posedă o energie mare de legătură, similară cu alte materiale dure, cum ar fi diamantul și nitrura cubică de bor. Cu toate acestea, energia mare de legătură a SiC face dificilă cristalizarea direct în lingouri prin metodele tradiționale de topire. Prin ......
Citeşte mai mult
Ce este carbura de siliciu (SiC)?
Materialele semiconductoare pot fi împărțite în trei generații în funcție de secvența de timp. Prima generație de germaniu, siliciu și alte monomateriale comune, care se caracterizează prin comutare convenabilă, utilizată în general în circuitele integrate. A doua generație de arseniură de galiu, fo......
Citeşte mai mult
