> Știri > Știri din industrie

Știri din industrie

Tăiere SiC

Carbura de siliciu (SiC) este foarte favorizată în industria semiconductoarelor pentru proprietățile sale fizice și chimice excelente. Cu toate acestea, duritatea ridicată și fragilitatea SiC reprezintă provocări considerabile pentru prelucrarea acestuia.

Citeşte mai mult

Fluxul procesului de miez al substratului cu carbură de siliciu

Substratul cu carbură de siliciu este un material monocristal compus semiconductor compus din două elemente, carbon și siliciu. Are caracteristicile unui bandgap mare, conductivitate termică ridicată, intensitate ridicată a câmpului critic de defalcare și rată ridicată de saturație a electronilor.

Citeşte mai mult

Rolul critic al substraturilor SiC și al creșterii cristalelor în industria semiconductoarelor

În cadrul lanțului industrial de carbură de siliciu (SiC), furnizorii de substraturi dețin o pârghie semnificativă, în principal datorită distribuției valorii. Substraturile SiC reprezintă 47% din valoarea totală, urmate de straturile epitaxiale cu 23%, în timp ce proiectarea și fabricarea dispoziti......

Citeşte mai mult

Aplicarea SiC și GaN în vehiculele electrice

MOSFET-urile SiC sunt tranzistoare care oferă densitate mare de putere, eficiență îmbunătățită și rate scăzute de eșec la temperaturi ridicate. Aceste avantaje ale MOSFET-urilor SiC aduc numeroase beneficii vehiculelor electrice (EV), inclusiv autonomie mai mare de condus, încărcare mai rapidă și ve......

Citeşte mai mult

Semiconductori de generația a 4-a Oxid de galiu/β-Ga2O3

Prima generație de materiale semiconductoare este reprezentată în principal de siliciu (Si) și germaniu (Ge), care au început să crească în anii 1950. Germaniul a fost dominant în primele zile și a fost folosit în principal în tranzistoare și fotodetectoare de joasă tensiune, frecvență joasă, putere......

Citeşte mai mult

Creștere epitaxială fără defecte și luxații neadaptate

Creșterea epitaxială fără defecte apare atunci când o rețea cristalină are constante ale rețelei aproape identice cu alta. Creșterea are loc atunci când situsurile de rețea ale celor două rețele de la regiunea interfeței sunt aproximativ egale, ceea ce este posibil cu o nepotrivire mică a rețelei (m......

Citeşte mai mult

<...14 15 16 17 18...31 >