Inel de focalizare CVD SiC

Proces avansat de depunere chimică în vapori (CVD).

Procesul CVD utilizat la fabricarea inelului de focalizare CVD SiC implică depunerea precisă a SiC în forme specifice, urmată de o prelucrare mecanică riguroasă. Această metodă asigură că parametrii de rezistivitate ai materialului sunt consecvenți, datorită unui raport fix de material determinat după o experimentare extinsă. Rezultatul este un inel de focalizare cu puritate și uniformitate de neegalat.

Rezistență superioară la plasmă

Unul dintre cele mai convingătoare atribute ale inelului de focalizare CVD SiC este rezistența excepțională la plasmă. Având în vedere că inelele de focalizare sunt expuse direct la plasmă în camera de reacție în vid, necesitatea unui material capabil să suporte astfel de condiții dure este primordială. SiC, cu un nivel de puritate de 99,9995%, nu numai că împărtășește conductivitatea electrică a siliciului, dar oferă și o rezistență superioară la gravarea ionică, ceea ce îl face o alegere ideală pentru echipamentele de gravare cu plasmă.

Densitate mare și volum de gravare redus

În comparație cu inelele de focalizare din silicon (Si), inelul de focalizare CVD SiC are o densitate mai mare, ceea ce reduce semnificativ volumul de gravare. Această proprietate este crucială pentru extinderea duratei de viață a inelului de focalizare și menținerea integrității procesului de fabricație a semiconductorilor. Volumul redus de gravare se traduce prin mai puține întreruperi și costuri de întreținere mai mici, sporind în cele din urmă eficiența producției.

Bandgap larg și izolație excelentă

Banda interzisă largă a SiC oferă proprietăți excelente de izolare, care sunt esențiale pentru prevenirea interferenței curenților electrici nedoriți cu procesul de gravare. Această caracteristică asigură că inelul de focalizare își menține performanța pe perioade lungi, chiar și în cele mai dificile condiții.

Conductivitate termică și rezistență la șoc termic

Inelele de focalizare CVD SiC prezintă o conductivitate termică ridicată și un coeficient de expansiune scăzut, făcându-le foarte rezistente la șocul termic. Aceste proprietăți sunt deosebit de benefice în aplicațiile care implică procesare termică rapidă (RTP), unde inelul de focalizare trebuie să reziste la impulsuri de căldură intense urmate de răcire rapidă. Capacitatea inelului de focalizare CVD SiC de a rămâne stabil în astfel de condiții îl face indispensabil în producția modernă de semiconductori.

Rezistență mecanică și durabilitate

Elasticitatea și duritatea ridicate ale inelului de focalizare CVD SiC oferă o rezistență excelentă la impact mecanic, uzură și coroziune. Aceste atribute asigură că inelul de focalizare poate rezista cerințelor riguroase ale fabricării semiconductoarelor, menținându-și integritatea structurală și performanța în timp.

Aplicații în diverse industrii

1. Fabricarea semiconductorilor

În domeniul producției de semiconductori, inelul de focalizare CVD SiC este o componentă esențială a echipamentelor de gravare cu plasmă, în special a celor care utilizează sisteme cu plasmă cuplată capacitivă (CCP). Energia mare a plasmei necesară în aceste sisteme face ca rezistența și durabilitatea cu plasmă ale inelului de focalizare CVD SiC să fie de neprețuit. În plus, proprietățile sale termice excelente îl fac bine potrivit pentru aplicațiile RTP, unde ciclurile rapide de încălzire și răcire sunt comune.

2. Suporturi LED Wafer

Inelul de focalizare CVD SiC este, de asemenea, extrem de eficient în producția de suporturi LED pentru napolitane. Stabilitatea termică a materialului și rezistența la coroziune chimică asigură că inelul de focalizare poate rezista la condițiile dure prezente în timpul fabricării LED-urilor. Această fiabilitate se traduce prin randamente mai mari și wafer-uri LED de calitate mai bună.

3. Țintele pulverizate

În aplicațiile de pulverizare, duritatea ridicată și rezistența la uzură a inelului de focalizare CVD SiC îl fac o alegere ideală pentru ținte de pulverizare. Capacitatea inelului de focalizare de a-și menține integritatea structurală sub impacturi cu energie ridicată asigură o performanță de pulverizare constantă și fiabilă, care este esențială în producția de filme subțiri și acoperiri.