Transportator sic pentru ICP

Proiectată pentru a răspunde cerințelor fără compromisuri ale instrumentelor de grafit și de depunere inductive moderne (ICP), purtător de grafit acoperit cu semicorexsic pentru ICP oferă un echilibru rar de reziliență plasmatică, precizie termică și stabilitate mecanică. În centrul său se află un substrat de grafit de proprietate mică, a cărui orientare a cristalului este strict controlată pentru a produce un comportament anisotropic extraordinar: conductivitatea termică în plan depășește cu mult gradele izostatice convenționale, în timp ce calea prin plan -plan rămâne în mod deliberat moderată pentru a suprima punctele fierbinți. Această gestionare direcțională a fluxului de căldură asigură că fiecare mor pe o placă de 150 mm până la 300 mm experimentează o rampare uniformă a temperaturii și un echilibru în stare constantă, traducând direct în distribuții mai restrânse de dimensiuni critice (CD) și randamente mai mari ale dispozitivului.

Înfășurat în jurul acestui grafit ultra -PURE este un strat de siliciu conformal co -depozit într -un cuptor CVD cu temperaturi de înaltă temperatură. Acoperirea SiC - din punct de vedere local, până la 2.000 ° C și lăudându -se cu o micro -porozitate mai mică de 0,1% - formează un scut impermeabil împotriva radicalilor de fluor, clor și brom frecvent în chimicalele ICP de înaltă densitate. Testarea de rezistență de lungă durată în CF₄/O₂, CL₂/BCL₃ și HBR/HE PLASMAS a demonstrat rate de eroziune sub 0,3 µmper100 de ore, prelungind durata de serviciu a transportatorului cu mult peste normele industriei și reducând drastic timpul de întrerupere preventivă.

Precizia dimensională este la fel de necompromisă: Flatitatea de suprafață este controlată în ± 5µm pe întreaga zonă de buzunar, în timp ce caracteristicile de excludere a marginilor sunt transmise laser pentru a proteja perimetrul wafer de micro -aruncare. Toleranță strânsă, însoțită de duritatea aproape diapozitivă a acoperirii SiC, rezistă la generarea de particule sub prindere mecanică și ciclism electrostatic -chick, protejând procesele nodului sub -10nm din contaminarea defectelor ucigașe. Pentru reactoarele ICP de mare putere, rezistivitatea electrică scăzută a purtătorului (<40µΩ · m) promovează stabilizarea rapidă a planului RF, minimizând fluctuațiile de tecelă care pot eroda profilurile fotoresiste sau induc micro -mlangare.

Fiecare lot de purtători de semicorex este supus metrologiei cuprinzătoare - cartografierea Raman pentru a verifica alinierea cristalografică a grafitului, secțiunea încrucișată SEM pentru a confirma integritatea stratului SIC și analiza reziduală -GAS pentru a certifica pragurile de impuritate la nivel PPM. Deoarece insistăm pe producția de micro -loturi (mai puțin de 20 de bucăți pe rulare), graficele de control statistic ale proceselor rămân excepțional de strânse, permițându -ne să garantăm reproductibilitatea wafer -to -wafer pe care furnizorii de marcă de masă pur și simplu nu o pot potrivi. Geometriile personalizate, adâncimile de buzunar și canalele de răcire din spate sunt disponibile cu timp de plumb până la trei săptămâni, abilitarea echipamentelor OEM -uri și fabricile de mare mix pentru a optimiza rețetele de cameră fără a reproiecta întregi stive hardware.

Unitând grafitul anisotropic din clasa mondială cu o armură ermetică SIC, purtătorul semicorexului SIC pentru ICP oferă FABS o platformă de lungă durată, de contaminare și uniformă termică - una care nu numai că rezistă la cele mai dure medii plasmatice, dar, dar îmbunătățește în mod activ latitudinea ferestrei și performanța la nivelul monedei. Pentru producătorii de dispozitive care se străduiesc spre lățimi de linie din ce în ce mai inteligente, profiluri mai abrupte și costuri mai mici de proprietate, este purtătorul de alegere în care fiecare micron, fiecare placă și fiecare oră de timp.