Si Epitaxy

Epitaxia Si permite realizarea de proprietăți specifice stratului, cum ar fi grosimea, concentrația de dopaj și compoziția. Prin introducerea de cantități controlate de impurități, cunoscute sub numele de dopanți, în stratul epitaxial, caracteristicile electrice ale dispozitivelor rezultate pot fi adaptate cu precizie. Acest lucru permite crearea de diferite regiuni cu tipuri distincte de conductivitate (tip n sau tip p) și concentrații dorite de purtători, permițând integrarea circuitelor electronice complexe.

Epitaxia Si este un proces fundamental în fabricarea dispozitivelor semiconductoare avansate, inclusiv microprocesoare, cipuri de memorie, senzori de imagine și celule solare. Joacă un rol vital în îmbunătățirea performanței, miniaturizării și funcționalității dispozitivului. Capacitatea de a depune straturi epitaxiale de înaltă calitate cu control precis asupra proprietăților materialului contribuie la progresul și inovația continuă în industria semiconductoarelor.