GaN Epitaxie

Semicorex oferă epitaxie GaN cu film subțire personalizat HEMT (nitrură de galiu) pe substraturi Si/SiC/GaN. Semicorex se angajează să ofere produse de calitate la prețuri competitive, așteptăm cu nerăbdare să devenim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.

Trimite o anchetă

Descriere produs

Epitaxia GaN cu nitrură de galiu este un material semiconductor cu bandă largă cu proprietăți electrice și optice excelente, ceea ce îl face un candidat promițător pentru diverse dispozitive electronice și optoelectronice.

Epitaxia GaN a revoluționat dezvoltarea dispozitivelor bazate pe GaN, inclusiv electronice de mare putere, iluminare în stare solidă (LED-uri) și dispozitive de înaltă frecvență. Capacitatea de a dezvolta straturi epitaxiale GaN de înaltă calitate, cu control precis asupra proprietăților materialelor, a îmbunătățit semnificativ performanța, eficiența și fiabilitatea dispozitivelor GaN, contribuind la progrese în diverse industrii, cum ar fi electronica de putere, telecomunicațiile și electronica de larg consum.