- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Știri
Avantajele ceramicii cu carbură de siliciu în industria fibrelor optice
Ceramica cu carbură de siliciu oferă numeroase avantaje în industria fibrelor optice, inclusiv stabilitate la temperatură ridicată, coeficient scăzut de dilatare termică, prag scăzut de pierdere și deteriorare, rezistență mecanică, rezistență la coroziune, conductivitate termică bună și constantă di......
Citeşte mai mult
Introducere în dispozitivele de putere cu carbură de siliciu
Dispozitivele de putere cu carbură de siliciu (SiC) sunt dispozitive semiconductoare realizate din materiale cu carbură de siliciu, utilizate în principal în aplicații electronice de înaltă frecvență, temperatură înaltă, tensiune înaltă și putere mare. În comparație cu dispozitivele de putere tradiț......
Citeşte mai mult
O scurtă istorie a carburii de siliciu și aplicațiile acoperirilor cu carbură de siliciu
Istoria carburei de siliciu (SiC) datează din 1891, când Edward Goodrich Acheson a descoperit-o accidental în timp ce încerca să sintetizeze diamante artificiale. Acheson a încălzit un amestec de argilă (aluminosilicat) și cocs pulbere (carbon) într-un cuptor electric. În locul diamantelor așteptate......
Citeşte mai mult
Dificultăți în pregătirea GaN
Ca material semiconductor de a treia generație, nitrura de galiu este adesea comparată cu carbura de siliciu. Nitrura de galiu își demonstrează în continuare superioritatea cu bandgap mare, tensiune mare de rupere, conductivitate termică ridicată, viteză mare de deplasare a electronilor saturati și ......
Citeşte mai mult
Introducere în semiconductoarele de a treia generație: GaN și tehnologii epitaxiale conexe
Materialele GaN au câștigat proeminență după acordarea Premiului Nobel pentru Fizică în 2014 pentru LED-urile albastre. Intrând inițial în ochiul public prin aplicațiile de încărcare rapidă din electronicele de larg consum, amplificatoarele de putere și dispozitivele RF bazate pe GaN au apărut, de a......
Citeşte mai mult
